《模电第三版》课后习题详解：半导体与场效应管知识点

《模拟电子技术基础（第三版）》是一本针对初学者和进阶工程师的重要教材，主要涵盖了模拟电子学的基础理论和实践技能。该书的自测题部分深入浅出地检验了读者对半导体器件的理解，包括N型和P型半导体的区别，以及它们在电路中的应用。章节中提到： 1. 半导体基础知识：判断题部分强调了N型半导体通过掺入适当的三价元素可以转变为P型，但N型半导体的多子是自由电子，不带负电，这个观点是错误的。PN结在无光照和外加电压时确实无结电流，这是正确的。晶体管的放大状态并不是由多子漂移运动主导，而是基极电流控制的。 2. PN结和二极管行为：PN结在正向偏置时，空间电荷区会变窄，而二极管的电流方程涉及饱和导通电流和动态电阻，与端电压有关。稳压管的工作在反向击穿区，能提供稳定的电压。 3. 晶体管工作状态：当晶体管处于放大状态时，发射结正偏，集电结反偏，这样才能实现电流放大。场效应管的UGS=0V时，结型管和耗尽型MOS管可以工作在恒流区。 4. 电路分析：题解部分提供了多个电路的电压计算，如利用二极管的特性来确定输出电压，以及如何运用稳压管设计电路。在晶体管的输出特性分析中，通过最大耗散功率PCM，可以确定不同电压下集电极电流，从而划定过损耗区。 5. 实际问题解决：书中还涉及如何结合实际电路参数，如稳压管的稳压值和最小稳定电流，计算电路中的具体电压值。对于晶体管，通过给出的输出特性曲线，可以确定临界过损耗条件并绘制相关区域。 通过这章的内容，学习者不仅能掌握基本的半导体器件理论，还能提升分析和解决实际问题的能力，对于理解模拟电子设备的工作原理和设计过程具有重要作用。