《模电第三版》课后习题详解:半导体与场效应管知识点
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更新于2024-07-31
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《模拟电子技术基础(第三版)》是一本针对初学者和进阶工程师的重要教材,主要涵盖了模拟电子学的基础理论和实践技能。该书的自测题部分深入浅出地检验了读者对半导体器件的理解,包括N型和P型半导体的区别,以及它们在电路中的应用。章节中提到:
1. 半导体基础知识:判断题部分强调了N型半导体通过掺入适当的三价元素可以转变为P型,但N型半导体的多子是自由电子,不带负电,这个观点是错误的。PN结在无光照和外加电压时确实无结电流,这是正确的。晶体管的放大状态并不是由多子漂移运动主导,而是基极电流控制的。
2. PN结和二极管行为:PN结在正向偏置时,空间电荷区会变窄,而二极管的电流方程涉及饱和导通电流和动态电阻,与端电压有关。稳压管的工作在反向击穿区,能提供稳定的电压。
3. 晶体管工作状态:当晶体管处于放大状态时,发射结正偏,集电结反偏,这样才能实现电流放大。场效应管的UGS=0V时,结型管和耗尽型MOS管可以工作在恒流区。
4. 电路分析:题解部分提供了多个电路的电压计算,如利用二极管的特性来确定输出电压,以及如何运用稳压管设计电路。在晶体管的输出特性分析中,通过最大耗散功率PCM,可以确定不同电压下集电极电流,从而划定过损耗区。
5. 实际问题解决:书中还涉及如何结合实际电路参数,如稳压管的稳压值和最小稳定电流,计算电路中的具体电压值。对于晶体管,通过给出的输出特性曲线,可以确定临界过损耗条件并绘制相关区域。
通过这章的内容,学习者不仅能掌握基本的半导体器件理论,还能提升分析和解决实际问题的能力,对于理解模拟电子设备的工作原理和设计过程具有重要作用。
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halleyth
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