英飞凌IAUZ18N10S5L420功率晶体管：AECQ101合格的高性能解决方案

IAUZ18N10S5L420是INFINEON公司的一款专为汽车应用设计的OptiMOS™-5功率晶体管。该器件是一款N沟道增强模式逻辑电平的MOSFET，具备AECQ101认证，能够在高达260°C的峰值回流温度（MSL1级别）下工作，并在正常操作条件下保持175°C的稳定运行。作为一款绿色产品，它符合RoHS标准，具有出色的热性能和可靠性。 此芯片的主要特性包括： 1. 连续漏极电流 (ID): 在25°C下，当栅源电压VGS为10V时，允许的最大持续电流为18A。而在100°C条件下，这一数值降低到13A，体现了其对高温环境的适应性。 2. 脉冲漏极电流 (ID,pulse): 在25°C下，单个脉冲下的最大电流为72A，确保了器件在短路条件下的稳健性能。 3. 雪崩能量 (EAS) 和 雪崩电流 (IAS): 当ID等于7A时，单次雪崩能量为11mJ，而雪崩电流限制为7A，这在保护电路免受过电压损害时起着关键作用。 4. 栅源电压 (VGS): 允许的栅源电压范围为±20V，提供了宽广的工作电压窗口。 5. 功率损耗 (Ptot): 在25°C和TJ=175°C条件下，芯片的最大功率损耗为30W，确保了在不同负载和温度下的高效散热。 6. 温度范围 (Tj/Tstg): 芯片的操作和存储温度为-55°C至+175°C，符合IEC气候类别DIN IE68-1标准，适合各种极端环境应用。 7. 集电极-漏极电压 (VDS): 最大集电极-漏极电压为100V，保证了高电压处理能力。 8. 导通电阻 (RDS(on),max): 在最大漏极电流下，RDS(on)达到42mW，表示了器件在低阻态下的低功耗特性。 最后，IAUZ18N10S5L420采用PG-TSDSON-8封装，带有清晰的5N1L420标记。该型号适用于自动光学检查(AOI)的自动化生产过程，且产品版本为Rev.1.0，发布日期为2019年7月23日。 这款晶体管在汽车电子系统中广泛应用，如电机驱动、电源管理等场景，因其高性能、低功耗和严格的工业标准，能够满足严苛的汽车电子设备对可靠性和效率的需求。