DS18B20温度传感器编程：注释详解与数码管显示

#include <reg52.h>
#include <intrins.h>

#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int

sbit DQ = P2^2;                       //数据口define interface
sbit dula = P2^6;                     //数码管段选
sbit wela = P2^7;                    //数码管位选

uint temp;                           //温度值 variable of temperature

//不带小数点
unsigned char code table[] = {0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,
         0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};
//带小数点
unsigned char code table1[] = {0xbf,0x86,0xdb,0xcf,0xe6,0xed,0xfd,0x87,0xff,0xef};


/*************精确延时函数*****************/
void delay(unsigned char i) 
{
while(--i); 
}
/******************************************
此延时函数针对的是12Mhz的晶振
delay(0):延时518us 误差:518-2*256=6
delay(1):延时7us   （原帖写"5us"是错的）
delay(10):延时25us    误差:25-20=5
delay(20):延时45us    误差:45-40=5

delay(100):延时205us 误差:205-200=5
delay(200):延时405us 误差:405-400=5
*******************************************/

/*****************DS18B20******************/

void Init_Ds18b20(void)     //DS18B20初始化send reset and initialization command
{
DQ = 1;                     //DQ复位,不要也可行。
delay(1);                  //稍做延时
DQ = 0;                    //单片机拉低总线
delay(250);                //精确延时，维持至少480us
DQ = 1;                    //释放总线，即拉高了总线
delay(100);                //此处延时有足够,确保能让DS18B20发出存在脉冲。
}

uchar Read_One_Byte()       //读取一个字节的数据read a byte date
                            //读数据时,数据以字节的最低有效位先从总线移出
{
uchar i   = 0;
uchar dat = 0;
for(i=8;i>0;i--)
{
   DQ = 0;                  //将总线拉低，要在1us之后释放总线
                           //单片机要在此下降沿后的15us内读数据才会有效。
   _nop_();                 //至少维持了1us,表示读时序开始
   dat >>= 1;               //让从总线上读到的位数据，依次从高位移动到低位。
   DQ = 1;                  //释放总线，此后DS18B20会控制总线,把数据传输到总线上
   delay(1);                 //延时7us,此处参照推荐的读时序图，尽量把控制器采样时间放到读时序后的15us内的最后部分
   if(DQ)                   //控制器进行采样