TI LM5050-1-Q1:高侧OR-ing FET控制器的数据手册
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更新于2024-06-29
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TI-LM5050-1-Q1是一款高性能的高侧OR-ing FET控制器,专为电子系统设计而开发,尤其适用于那些需要高效率、低功耗和快速响应的应用。该器件具有以下关键特性:
1. **产品系列**:
提供两种版本,即LM5050Q0MK-1(适用于高温工作环境,最高TJ达到150°C)和LM5050Q1MK-1(适合更宽的温度范围,TJ最大125°C),确保了在不同应用场景下的可靠性和稳定性。
2. **功能安全**:
LM5050-1/-Q1支持功能安全设计,提供相关文档帮助设计者构建安全系统,这在许多工业和汽车电子应用中至关重要。
3. **宽输入电压范围**:
输入电压范围广泛,从1V到75V,当输入电压低于5V时,需要额外的VBIAS供电。这使得它能够适应多种电源环境。
4. **保护特性**:
100V瞬态电压保护能力,可以有效应对过电压冲击,确保电路的稳定运行。
5. **驱动功能**:
内置电荷泵驱动器,专为外部N沟道MOSFET设计,能实现快速响应(50ns内电流反向时关断FET),并提供高达2A的峰值栅极关断电流。
6. **低导通损耗**:
通过超小的VDS关断电压,能缩短FET的关断时间,减少能耗,提高能源效率。
7. **封装形式**:
使用紧凑的SOT-6(薄型SOT-23-6)封装,节省空间,适合小型化设计。
8. **应用领域**:
主要应用于需要冗余(N+1)电源系统的主动OR-ing,例如在电源分配网络中替代二极管整流器,降低损耗和压降。
TI-LM5050-1-Q1是一款在高侧OR-ing控制方面表现突出的器件,适用于对效率、响应速度和可靠性有较高要求的电力管理、电源转换或故障安全应用。设计者在集成此类设备时,应重点考虑其工作原理、所需偏置条件以及与其他组件的配合,以实现最佳性能和系统稳定性。务必参考最新的英文数据手册SNVS629获取最准确的产品信息。
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2023-09-06 上传
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2023-06-06 上传
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