英飞凌IAUZ30N10S5L240汽车级OptiMOS™-5功率MOSFET规格

"IAUZ30N10S5L240是英飞凌科技公司生产的OptiMOS™-5系列的一款N沟道增强模式逻辑电平的功率MOSFET，主要应用于汽车电子领域。这款芯片通过了AECQ101质量认证，适用于高温环境，其峰值回流温度（MSL1）可高达260°C，工作温度范围为-55°C至175°C。产品符合RoHS标准，适合自动光学检测，并经过100%雪崩测试。" IAUZ30N10S5L240的主要特性包括： 1. **OptiMOS™-5技术**：OptiMOS™-5是英飞凌的高性能功率MOSFET系列，提供了优化的开关性能和低导通电阻，适用于高效率电源转换和驱动应用。 2. **汽车级应用**：这款芯片设计用于汽车电子系统，具备高温稳定性和可靠性，满足汽车行业对电子元件的严格要求。 3. **N沟道增强模式逻辑电平**：意味着该器件在栅极电压较低时就能开启，便于与逻辑电路接口，适合在需要低驱动电压的场合使用。 4. **AECQ101认证**：符合汽车电子委员会的AECQ101标准，确保了在汽车环境中的质量和可靠性。 5. **高温耐受性**：最高工作温度可达175°C，且峰值回流温度为260°C，适应高温焊接工艺。 6. **RoHS兼容**：作为绿色产品，它遵循RoHS指令，不含有害物质。 7. **100%雪崩测试**：确保器件在大电流脉冲下能承受雪崩效应而不损坏。 8. **自动光学检验**：可实现自动化生产流程中的质量控制。 技术参数： - **连续漏极电流（ID）**：在25°C和10V栅极电压下，最大连续漏极电流为30A，在100°C和10V条件下为22A。 - **脉冲漏极电流（ID,pulse）**：25°C下最大脉冲漏极电流可达120A。 - **雪崩能量（EAS）**：在12A电流下，单脉冲雪崩能量最大为17mJ。 - **雪崩电流（IAS）**：单脉冲雪崩电流最大为12A。 - **栅源电压（VGS）**：允许的最大栅源电压为±20V。 - **总功率耗散（Ptot）**：在25°C和175°C的结温下，最大功率耗散分别为45.5W。 - **操作和存储温度范围（Tj,Tstg）**：-55°C至175°C。 - **封装类型**：PG-TSDSON-8，标记代码为5N1L240。 此外，该器件的热特性也给出了最小、典型和最大值，包括热阻等参数，这些信息对于评估器件在不同条件下的散热性能至关重要。综合这些参数，IAUZ30N10S5L240是一款适合于汽车电子系统中高效、可靠电源管理的功率半导体元件。