AP9467GM-HF-VB：40V N-Channel MOSFET技术规格与应用

"AP9467GM-HF-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOP8封装的MOSFET晶体管，适用于同步整流、POL和IBC等应用。该器件具有低电阻、低栅极电荷以及符合RoHS标准等特点。" AP9467GM-HF-VB是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET，采用40V的额定 Drain-Source 电压（VDS）设计，能承受高达±20V的Gate-Source电压（VGS）。这款MOSFET的最大特点是其低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时为14mΩ，而当VGS=20V时，依然保持较低的导通电阻，这使得它在高效率电源转换和开关应用中表现出色。 器件的Qg（栅极电荷）典型值为15nC，这是一个衡量开关速度和开关损耗的关键参数，低的Qg意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该产品经过100%的Rg测试和UIS测试，确保了其可靠性和稳定性。 AP9467GM-HF-VB符合IEC61249-2-21定义的无卤素标准，同时符合RoHS指令2002/95/EC，这意味着它是环保的并且不含铅。该MOSFET适用于表面贴装在1"x1"FR4板上，适用于各种电子设备和电路设计。 在应用方面，AP9467GM-HF-VB常用于同步整流，这是一种提高DC-DC转换器效率的方法，通过在原边和副边同时开关来减少损耗。此外，它还适用于POL（Point-of-Load）调节器和IBC（隔离式Boost转换器）的次级侧，这些应用通常需要高效的电流控制和低热阻特性。 在工作条件方面，连续 Drain 电流（ID）在25°C和70°C时分别可达10A和5A，脉冲Drain电流IDM最高可达50A。在进行雪崩操作时，最大允许Avalanche电流为15A，对应的Avalanche能量为11mJ。器件的最大连续源漏二极管电流（IAS）为5A，最大功率耗散（PD）在不同温度下有所不同，例如，在25°C时，如果L=0.1mH，最大PD为6W。 AP9467GM-HF-VB是一款高性能、低功耗的MOSFET，适合于需要高效能和低热阻的电源管理应用。其紧凑的SOP8封装使其易于集成到各种电子设计中，并且其全面的电气特性和可靠性测试确保了它能在各种工作条件下稳定工作。