RFD12N06RLESM-VB N沟道TO252封装晶体管技术参数详解
181 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 403KB PDF 举报
RFD12N06RLESM-VB场效应管是一款N沟道TO252封装的晶体管
本文将对RFD12N06RLESM-VB场效应管的技术参数进行详细的分析和解释,涵盖其主要特征、最大额定值、热阻抗、工作温度范围等多方面的知识点。
一、主要特征
RFD12N06RLESM-VB场效应管是一款N沟道TO252封装的晶体管,采用TrenchFET®PowerMOSFET技术,具有低导通电阻(rDS(on))和高输入电压(VGS)的特点。该场效应管的工作温度范围为-55°C到175°C,能够满足各种应用场景的需求。
二、最大额定值
RFD12N06RLESM-VB场效应管的最大额定值包括:
* 连续漏极电流(ID):60A
* 脉冲漏极电流(IDM):100A
* 连续源极电流(IS):23A
* 雷击电流(IAS):20A
* 最大功率消耗(PD):100W
这些参数表明了RFD12N06RLESM-VB场效应管的强大输出能力和高效工作性能。
三、热阻抗
RFD12N06RLESM-VB场效应管的热阻抗参数包括:
* 最大结温到ambient温度(RthJA):18°C/W
* 稳态结温到ambient温度(RthJC):3.2°C/W
这些参数表明了RFD12N06RLESM-VB场效应管的散热性能,能够满足高频率工作和大电流输出的需求。
四、工作温度范围
RFD12N06RLESM-VB场效应管的工作温度范围为-55°C到175°C,能够满足各种应用场景的需求,包括汽车电子、工业控制、医疗设备等领域。
五、其他特征
RFD12N06RLESM-VB场效应管还具有以下特征:
* 支持RoHS标准,满足环保要求
* 采用TO252封装,具有小体积和轻便的特点
* 具有高频率工作能力,能够满足高速开关和高频率应用的需求
RFD12N06RLESM-VB场效应管是一款功能强大、性能出色的N沟道TO252封装的晶体管,广泛应用于汽车电子、工业控制、医疗设备等领域。
2024-10-17 上传
2024-10-17 上传
2024-09-25 上传
2024-10-17 上传
2024-10-17 上传
2024-10-17 上传
2024-10-17 上传
VBsemi_MOS
- 粉丝: 8059
- 资源: 2574
最新资源
- C++ Qt影院票务系统源码发布,代码稳定,高分毕业设计首选
- 纯CSS3实现逼真火焰手提灯动画效果
- Java编程基础课后练习答案解析
- typescript-atomizer: Atom 插件实现 TypeScript 语言与工具支持
- 51单片机项目源码分享:课程设计与毕设实践
- Qt画图程序实战:多文档与单文档示例解析
- 全屏H5圆圈缩放矩阵动画背景特效实现
- C#实现的手机触摸板服务端应用
- 数据结构与算法学习资源压缩包介绍
- stream-notifier: 简化Node.js流错误与成功通知方案
- 网页表格选择导出Excel的jQuery实例教程
- Prj19购物车系统项目压缩包解析
- 数据结构与算法学习实践指南
- Qt5实现A*寻路算法:结合C++和GUI
- terser-brunch:现代JavaScript文件压缩工具
- 掌握Power BI导出明细数据的操作指南