微控制器存储器编程规格与5G、MEC在工业互联网中的应用
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更新于2024-08-10
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"该文档详细介绍了存储器编程的要求,特别是针对5G和MEC(多接入边缘计算)在工业互联网应用中的存储器标准。文档主要关注了微控制器 PIC18 的存储器特性,包括内部程序存储器和数据EEPROM的编程规范,以及闪存程序存储器的参数。"
在5G和MEC技术的背景下,工业互联网对微控制器的存储器性能提出了更严格的要求。文档中提到的存储器编程要求主要涉及以下几个方面:
1. **内部程序存储器**:对于PIC18系列微控制器,VPP(MCLR/VPP/RE3引脚上的电压)在编程时需保持在8到9伏之间。编程时的供电电流IDDP要求不超过10毫安。此外,数据EEPROM的字节耐擦写能力(D172)至少为100,000次,保证了在恶劣环境下的稳定性和持久性。
2. **数据EEPROM存储器**:在操作温度范围内(-40°C to +85°C),读/写操作所需的VDD电压(D173和D174)分别为1.8到3.6伏(PIC18LF)和1.8到5.5伏(PIC18F)。擦除/写周期时间TDEW约为3至4毫秒,特性保持时间TRETD至少为40年,确保数据的长期保存。
3. **闪存程序存储器**:单元耐擦写能力(D178)至少10,000次,适用于5G和MEC环境中频繁更新的需求。读操作时的VDD(D181和D182)同样为1.8到3.6伏(PIC18LF)和1.8到5.5伏(PIC18F)。行擦除或写操作时的VDD也有所规定,以确保编程过程的可靠性。自定时写周期时间TIW约为2毫秒。
4. **温度和电源电压范围**:所有参数均在-40°C到+125°C的工作温度范围内定义,VDD在不同操作条件下有明确的电压范围,确保了设备在广泛环境条件下的稳定运行。
5. **编程工具兼容性**:特别指出MPLAB ICD 2不支持可变VPP输出,因此在使用时需要额外注意电路配置。
6. **微控制器的耐用性**:数据EEPROM和闪存的耐擦写次数以及特性保持时间,表明了这些器件在工业应用中的高可靠性和长期稳定性。
存储器编程要求对于5G和MEC在工业互联网中的应用至关重要,因为这些技术往往需要高速、高效且耐用的存储解决方案来处理大量数据,并确保服务的连续性和安全性。微控制器如PIC18的设计考虑了这些需求,提供了满足严苛条件的存储器特性。
2021-09-04 上传
2021-07-15 上传
2021-04-08 上传
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冀北老许
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