英飞凌 CoolMOS C7 600V MOSFET技术规格手册：创新低导通电阻设计

IPZ60R017C7是英飞凌(INFINEON)推出的一款高性能600伏特(CoolMOS C7)功率晶体管，它代表了该公司在超结(MOSFET)技术领域的创新突破。这款芯片遵循超级结(SJ)原理设计，该原理允许在高压环境下实现更高的开关效率和更小的导通电阻(RDS(on))。 该型号的特点显著，首先，它特别适合硬开关和软开关应用，包括PFC（功率因数校正）和高效率的 LLC（交错式变换器）电路设计。这使得它在电源转换和能效优化中表现出色。600V CoolMOS C7具有增强的dv/dt抗冲击能力，可以承受高达120伏特每纳秒的陡度变化，这意味着在高频操作下能保持稳定性能。 效率方面，其优越的栅极电荷密度（RDS(on)*Qg）、导通电阻与欧姆值（RDS(on)*Eoss）以及封装级别的低导通电阻（RDS(on)*/package）共同作用，显著提升了整体工作效率。此外，它易于驱动，简化了设计过程。 在环保方面，IPZ60R017C7采用无铅(Pb-free)镀层和无卤素(halogen-free)模具化合物，符合工业级应用的JEDEC标准（J-STD20和JESD22），确保了产品的可靠性和可持续性。 4pin kelvin源概念进一步提升了器件的热性能和隔离效果，降低了散热需求，有利于在高温和高负载条件下长时间稳定工作。这种设计使得该器件在规模经济性上有了显著提升，特别适用于对成本敏感且对性能有较高要求的应用场景，如数据中心、电动汽车充电站等现代工业设备中。 IPZ60R017C7是一款集技术创新、高效能、易用性及环保特性于一体的600伏特功率MOSFET，对于追求高电压、高效率、低成本的现代电子设计工程师来说，是一个理想的选择。