光栅掩模制作中干涉条纹周期误差对槽形影响的研究

本文探讨了在扫描干涉场曝光系统中，干涉条纹周期测量误差对光栅掩模槽形产生的影响。曝光过程中，精确测量干涉条纹的周期至关重要，因为这直接影响到相位拼接的质量。文章建立了一个数学模型，阐述了条纹周期测量误差与扫描曝光对比度之间的关系。同时，利用光刻胶在显影过程中的非线性性质，作者们构建了一个用于描述扫描干涉场曝光光栅显影的模型。 通过这个模型，研究发现光栅掩模的槽形会随着周期测量误差的增大而恶化，并在空间上产生变化。周期测量的相对误差与相位拼接误差直接相关，且与相邻扫描步进间隔成正比，与干涉条纹周期成反比。在特定的显影条件下（如曝光光束束腰半径为1mm，曝光步进间隔为0.8mm，曝光线密度为1800 gr/mm），如果将周期测量误差控制在139 ppm以内，理论上可以制造出槽底干净、槽形均匀的高质量光栅掩模。 关键词：光栅、扫描干涉场曝光系统、周期测量误差、槽形 这篇研究揭示了在光栅制造过程中，精确控制周期测量误差对于保证光栅掩模质量的必要性。对于离子束刻蚀技术的应用，这种高精度的控制可以确保光栅的精细结构，从而优化光学性能。此外，研究还提供了实际操作的参考参数，为实际生产中的工艺优化提供了理论依据。通过实验验证，这些理论模型和计算结果为光栅制造的工艺改进提供了有力的支持，对于提高光栅掩模的制作精度具有重要意义。