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首页高效便携应用电源:NCV6323-D 3MHz 2A buck转换器
ON公司的DC-DC电源芯片NCV6323-D是一款高性能的3MHz同步降压转换器,专为便携式应用设计,如单节锂离子电池、三节碱性/镍镉/镍氢电池供电系统。该芯片的主要特点包括: 1. 电压范围广泛:NCV6323-D支持宽广的输入电压范围,从2.5伏特到5.5伏特,这使得它能够适应多种电池类型和电压水平的变化。 2. 外部可调输出电压:通过外部调整,用户可以根据具体需求调整输出电压,实现灵活的电源配置。 3. 高输出电流:最大输出电流可达2安培,足以满足大多数小型电子设备在工作时对电力的需求。 4. 高效快速转换:采用3MHz的开关频率,允许电路设计者选择小型化的电感器和电容器,从而减小电路尺寸,提高效率。 5. 同步整流:利用同步整流技术,可以进一步提升系统整体效率,减少损耗,提高能效。 6. 控制选项:芯片具备Enable输入,用于控制转换器的开启和关闭;PowerGood输出可以提供电源稳定性的反馈;还有软启动功能,防止瞬间大电流冲击。 7. 保护功能:内置过电流保护机制,当电流超过安全阈值时自动断开,确保设备安全。此外,当芯片被禁用时,内部电路会自动进行放电,避免意外电荷积累。 8. 紧凑的封装:NCV6323-D采用节省空间的2.0x2.0x0.75毫米WDFN8封装,或者湿可焊WDFN8封装,便于集成到各种紧凑型设计中。 9. 热保护:内置的热 shutdown保护功能,在温度过高时自动关闭,以防止过热损坏。 这款芯片凭借其高效的性能、广泛的电压兼容性和小型化设计,是便携式电子设备的理想选择,特别适用于对电源管理有较高要求的应用场合。
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NCP6323, NCV6323
www.onsemi.com
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V
IN
= 3.6 V, V
OUT
= 1.8 V, L = 1 mH, C = 10 mF, typical values are referenced to T
J
= 25°C, Min
and Max values are referenced to T
J
up to 125°C, unless other noted.)
Symbol Characteristics Test Conditions Min Typ Max Unit
SUPPLY VOLTAGE
V
IN
Input Voltage V
IN
Range (Note 7) 2.5 − 5.5 V
SUPPLY CURRENT
I
Q
V
IN
Quiescent Supply Current EN high, no load, Forced PWM Mode − 5.7 − mA
I
SD
V
IN
Shutdown Current EN low (Note 9 for NCP6323) − − 1
mA
OUTPUT VOLTAGE
V
OUT
Output Voltage Range (Note 8) 0.6 − V
IN
V
V
FB
FB Voltage PWM Mode 594 600 606 mV
FB Voltage in Load Regulation V
IN
= 3.6 V, I
OUT
from 200 mA to I
OUTMAX
,
PWM mode (Note 8)
− −0.5 − %/A
FB Voltage in Line Regulation I
OUT
= 200 mA, V
IN
from MAX (V
NOM
+
0.5 V, 2.3 V) to 5.5 V, PWM mode (Note 8)
− 0 − %/V
D
MAX
Maximum Duty Cycle (Note 8) − 100 − %
OUTPUT CURRENT
I
OUTMAX
Output Current Capability (Note 8) 2.0 − − A
I
LIMP
Output Peak Current Limit P−Channel 2.3 2.8 3.3 A
I
LIMN
Output Peak Current Limit N−Channel 0.9 A
VOLTAGE MONITOR
V
INUV−
V
IN
UVLO Falling Threshold − − 2.4 V
V
INHYS
V
IN
UVLO Hysteresis 60 140 200 mV
V
PGL
Power Good Low Threshold V
OUT
falls down to cross the threshold
(percentage of FB voltage)
87 90 92 %
V
PGHYS
Power Good Hysteresis V
OUT
rises up to cross the threshold
(percentage of Power Good Low Threshold
(V
PGL
) voltage)
0 5 7 %
Td
PGH1
Power Good High Delay in Start Up From EN rising edge to PG going high. − 1.15 − ms
Td
PGL1
Power Good Low Delay in Shut Down From EN falling edge to PG going low.
(Note 8)
− 8 −
ms
Td
PGH
Power Good High Delay in Regulation From V
FB
going higher than 95% nominal
level to PG going high.
Not for the first time in start up. (Note 8)
− 5 −
ms
Td
PGL
Power Good Low Delay in Regulation From V
FB
going lower than 90% nominal
level to PG going low. (Note 8)
− 8 −
ms
VPG_L Power Good Pin Low Voltage Voltage at PG pin with 5 mA sink current − − 0.3 V
PG_LK Power Good Pin Leakage Current 3.6 V at PG pin when power good valid − − 100 nA
INTEGRATED MOSFETs
R
ON_H
High−Side MOSFET ON Resistance V
IN
= 3.6 V (Note 9 for NCP6323)
V
IN
= 5 V (Note 9 for NCP6323)
− 160
130
200
−
mW
R
ON_L
Low−Side MOSFET ON Resistance V
IN
= 3.6 V (Note 9 for NCP6323)
V
IN
= 5 V (Note 9 for NCP6323)
− 110
100
140
−
mW
SWITCHING FREQUENCY
F
SW
Normal Operation Frequency 2.7 3.0 3.3 MHz
7. Operation above 5.5 V input voltage for extended periods may affect device reliability. At the first power−up, input voltage must be > 2.6 V.
8. Guaranteed by design, not tested in production.
9. Maximum value applies for T
J
= 85°C.
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