BSO207P-VB: 2个-30V P-Channel MOSFET的规格与应用介绍

BSO207P-VB是一款由VBSEMICONDUCTORS公司生产的双极型P-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其特点是采用无卤化物设计，具有TrenchFET®技术的功率MOSFET结构。这款器件在性能上具有较高的可靠性，通过了严格的100% UISTested测试。 该MOSFET的主要特性包括： 1. **电压规格**： - Drain-Source Voltage (VDS): 最大电压达-30V，这意味着它适用于需要在负电压下工作的负载开关等应用。 - Gate-Source Voltage (VGS): 可承受±20V的电压范围，允许在不同的控制信号下实现高效驱动。 2. **电流能力**： - Continuous Drain Current (ID): 在25°C时的最大持续工作电流为-7.3A，而在70°C时略有下降。 - Pulsed Drain Current (DM): 提供短脉冲下的峰值电流能力。 - Source-Drain Diode Current (IS): 即单向导电性，在25°C时约为-4.1A，防止反向偏置时的电流流动。 - Avalanche Current (IA): 在特定条件下，能承受的单脉冲雪崩电流为-20A。 3. **能量处理**： - Single-Pulse Avalanche Energy (AS): 单次脉冲雪崩能量限制为20mJ，保证了器件在高瞬态条件下的安全性。 4. **热管理**： - Power Dissipation (PD): 在25°C下最大功率损耗为5W，随着温度升高，这个值会相应降低，以防止过热。 - Thermal Resistance (Rth): 提供了不同工作温度下的典型热阻参数，有助于散热设计。 5. **温度范围**： - Operating Junction Temperature (TJ): 设备的正常工作温度范围为-55°C到150°C。 - Storage Temperature Range (Tstg): 储存温度范围更宽，确保器件在极端条件下的长期稳定性。 6. **封装和尺寸**： - Surface-mounted on a 1"x1" FR4 board, 适合小型电路板集成。 BSO207P-VB是一款针对低至-30V电压等级、大电流(-7.3A)需求的MOSFET，特别适合于那些对功率效率、紧凑性和可靠性有较高要求的应用场景，如电源管理、负载切换和开关电路中。设计者在使用时需注意其功耗限制、温度控制和脉冲电流能力，以确保电路的稳定和安全运行。