Cree CGH40120F：28V 120W RF功率GaN HEMT晶体管

"CGH40120F.pdf 是 Cree 公司生产的 CGH40120F 型号的射频功率 Gallium Nitride (GaN) 高电子迁移率晶体管（HEMT）的中文数据手册。该器件在28伏特电源电压下工作，提供了一个通用的宽带解决方案，适用于各种射频和微波应用。" CGH40120F 的主要特点包括： 1. 操作频率高达2.5GHz：这使得该器件适合处理2.5GHz以下的宽频信号，满足多种无线通信标准的需求。 2. 高增益性能：在1.0GHz时，提供20dB的小信号增益，而在2.0GHz时，仍有15dB的小信号增益，这确保了在不同频率下的高效信号放大能力。 3. 高功率饱和输出（PSAT）：具有120W的典型PSAT，表明其在高功率应用中的卓越表现。 4. 高效率：在功率饱和点达到70%的效率，这在射频功率放大器中是相当高的，能有效降低功耗，提高系统整体效率。 5. 28V操作电压：较低的工作电压降低了电源需求，简化了电源设计，并提高了系统可靠性。 6. 法兰封装：采用法兰封装，易于安装和散热，适合在高功率应用中使用。 CGH40120F 的典型应用领域包括： 1. 双向私人无线电：在需要双向通信的场合，如对讲机系统。 2. 宽带放大器：用于需要处理宽频信号的设备，如电视接收器或雷达系统。 3. 蜂窝基础设施：在移动通信基站中，用于放大和传输信号。 4. 测试仪器：在研发和生产测试环境中，用于信号发生和测量。 5. 线性及压缩放大器电路：适用于支持OFDM（正交频分复用）、W-CDMA、EDGE和CDMA等通信波形的线性或非线性放大器设计。 此外，CGH40120F 采用440193封装类型，其产品编号为CGH40120F，由Cree公司制造，该公司位于美国北卡罗来纳州达勒姆市。手册的版本为Rev2.6，发布日期为2013年8月。用户可以通过访问www.cree.com/rf获取更多详细信息。 CGH40120F 是一款高性能的GaN HEMT，适用于要求高效率、大功率和宽频带的射频应用，特别适合在无线通信和测试设备中使用。