"3400-CMN3400-VB是一种N沟道SOT23封装的MOS场效应晶体管,适用于DC/DC转换器等应用。它具有无卤素、TrenchFET技术、100%栅极电阻测试以及符合RoHS指令等特点。"
3400-CMN3400-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用紧凑的SOT23封装,这使得它在空间有限的电路设计中具有较高的灵活性。该器件的关键特性包括:
1. **无卤素**:根据IEC61249-2-21标准,该MOSFET不含卤素,符合环保要求。
2. **TrenchFET技术**:采用TrenchFET结构,这意味着它的沟槽型MOSFET设计,能提供更低的电阻和更高的开关性能,降低了导通损耗。
3. **100% Rg测试**:每个器件都经过了栅极电阻(Rg)的测试,确保了质量和一致性。
4. **RoHS合规性**:符合欧盟的RoHS指令2002/95/EC,意味着它不含有害物质。
此MOSFET的主要参数如下:
- **耐压(VDS)**:30V,这是MOSFET能够承受的最大电压,从漏极到源极。
- **导通电阻(RDS(on))**:在VGS=10V时,典型值为0.030Ω,而在VGS=4.5V时,典型值为0.033Ω。较低的RDS(on)意味着在导通状态下有更低的功耗。
- **额定电流(ID)**:在不同温度下,连续漏极电流有所不同。例如,在25°C时,ID可达6.5A,而在70°C时,ID降为6.0A。
此外,还有脉冲漏极电流(IDM)、连续源漏二极管电流(IS)、最大功率耗散(PD)、操作结温及存储温度范围等关键参数。这些参数规定了MOSFET在不同工作条件下的安全工作范围。
- **脉冲漏极电流(IDM)**:最大值为25A,用于瞬时大电流的脉冲应用。
- **源漏二极管电流(IS)**:在25°C时,连续电流为1.4A,但表面贴装在1"x1"FR4板上时,电流降低至0.9A。
- **最大功率耗散(PD)**:在不同温度下,最大功率耗散不同,25°C时为1.7W,70°C时降至1.1W。
- **工作及存储温度范围**:从-55°C到150°C,确保了器件在宽温度范围内的稳定工作。
- **焊接推荐**:建议的峰值焊接温度为260°C,以确保安全可靠的焊接过程。
3400-CMN3400-VB是一款高性能、环保的N沟道MOSFET,适合用于需要高效能、低损耗的电源转换系统,如DC/DC转换器。其小尺寸封装和出色的电气特性使其成为紧凑、高效率电子设计的理想选择。