英飞凌IAUS240N08S5N019 OptiMOS™-5 功率晶体管技术规格

"IAUS240N08S5N019是英飞凌科技公司生产的OptiMOS™-5系列的一款N沟道增强模式功率晶体管。这款芯片设计适用于汽车电子等高可靠性要求的领域，符合AEC（汽车电子委员会）的品质标准，并且满足RoHS（有害物质限制）的绿色产品要求。" IAUS240N08S5N019的主要特性包括超低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流传输时能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。此外，该芯片经过了100%的雪崩测试，确保其在可能出现的过载情况下具备良好的耐受能力。最大连续漏极电流ID在25°C时为240A，而在100°C时则为173A，显示了其在不同温度下的稳定工作能力。 该芯片的最大栅源电压VGS为±20V，最大功率耗散Ptot在25°C环境下为230W。工作和存储温度范围广泛，从-55°C到175°C，符合IEC的DIN IEC68-1气候类别标准，适应各种环境条件。此外，其热特性表现出色，结-壳热阻RthJC仅为0.65 K/W，意味着它具有高效的散热性能，有助于防止因过热导致的性能下降或损坏。 封装方面，IAUS240N08S5N019采用PG-HSOG-8-1封装，其中Gate引脚为1号，Drain通过Tab连接，Source为2至8号引脚。封装标记为A08S5N19，方便识别和应用。此规格书版本为Rev.1.0，发布日期为2018年5月25日。 总体来说，IAUS240N08S5N019是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于需要大电流处理和高效散热的汽车电子、电源管理以及其他工业应用。其低导通电阻、宽工作温度范围以及出色的抗雪崩能力，使其成为设计者在考虑电源开关或驱动电路时的理想选择。