ZXMP10A17GTA-SOT223 MOSFET: 100V P-Channel TrenchFET 技术参数与应用

"ZXMP10A17GTA是一款由SOT223封装的P沟道MOSFET，适用于电源管理、照明应用等领域。该器件具有TrenchFET技术，确保低导通电阻和高效能。" ZXMP10A17GTA MOSFET是P通道金属氧化物半导体场效应晶体管，其主要特点在于其TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，可提供更低的表面电荷和更小的尺寸，从而在相同封装下实现更低的导通电阻和更高的电流处理能力。这款器件在10V的栅极电压下，导通电阻(RDS(on))仅为200mΩ，而在4.5V的栅极电压下，导通电阻也仅略高于240mΩ，这使得它在高效率电源转换和驱动电路中表现优秀。 在应用方面，ZXMP10A17GTA适合用作中间直流/直流电源供应的主动钳位，以及照明应用中的H桥高边开关。这些应用通常需要精确控制和高效能的开关元件，以减少能量损失并确保系统的稳定运行。 对于电气特性，该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为-100V，允许连续的漏极电流(ID)在环境温度25°C时达到-3A，而在70°C时则降低到-2.1A。栅极源电压(VGS)的最大值为±20V。脉冲漏极电流(IDM)在特定条件下可达-12A，而连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为-4.9A。此外，该器件还具有反向雪崩电流(IAS)和单脉冲雪崩能量(EAS)的规格，确保了在过载情况下的安全性。 在热性能方面，ZXMP10A17GTA的最大功率耗散(PD)在25°C时为6.5W，但随着温度升高，这个值会下降。这意味着在设计电路时需要考虑散热方案以确保MOSFET在工作时不会过热。操作和存储的结温范围从-55°C到150°C，保证了它在各种环境条件下的可靠性。 ZXMP10A17GTA-SOT223是一款高性能的P通道MOSFET，适用于要求低导通电阻和良好热管理的应用。其独特的TrenchFET技术、严格的测试标准（如100%的Rg和UIS测试）以及广泛的工作温度范围，使得它成为电源管理和高功率密度设计的理想选择。