英飞凌IPD033N06N MOSFET芯片技术规格详解

"IPD033N06N INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档是英飞凌科技公司（INFINEON）的IPD033N06N MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的中文规格书，适用于电源管理中的同步整流应用。这款MOSFET是OptiMOSTM系列的一款产品，设计具备了优化的同步整流性能、100%雪崩测试、出色的热阻性能、标准等级的N沟道以及符合JEDEC标准的资格认证。 关键性能参数如下： 1. 额定电压（VDS）：60V，这意味着该器件能够承受的最大漏源电压为60V。 2. 最大漏极到源极电阻（RDS(on),max）：3.3毫欧，这是一个衡量MOSFET在完全开启状态下导通电阻的参数，低的RDS(on)意味着更低的功耗。 3. 连续电流（ID）：90A，这是MOSFET在规定条件下可以连续通过的最大电流。 4. 栅极电荷（QG(0V..10V)）：38nC，表示从0V到10V栅极电压变化时，流过栅极的总电荷量，这个参数影响开关速度。 5. 输出电容（QOSS）：44nC，是指MOSFET从开启到关闭时存储的电荷，对开关转换速度有影响。 此外，该芯片采用D-PAK封装，其引脚排列为：2号引脚为漏极（Drain），并作为散热片（Tab）；1号引脚为栅极（Gate）；3号引脚为源极（Source）。该封装具有良好的热性能，适合高功率应用。 IPD033N06N的封装型号为PG-TO252-3，其市场标记为033N06N。该器件符合无铅（Pb-free）和RoHS（Restriction of Hazardous Substances）指令，且不含卤素，符合IEC61249-2-21的无卤素标准，体现了环保设计。 规格书中还包含了最大额定值、热特性、电气特性图表、封装轮廓图以及修订历史等详细信息。这些数据对于评估和设计使用IPD033N06N的电路至关重要，确保了设备在实际操作中的安全性和可靠性。 IPD033N06N是一款高性能的60V N沟道MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电源管理解决方案。其全面的技术规格和认证，使得它成为同步整流应用的理想选择。设计工程师可以根据这些参数和特性来决定是否将此芯片用于他们的项目中。