Micron DDR3 MT16LD1664AG-6X 内存模块技术规格

需积分: 5 0 下载量 129 浏览量 更新于2024-06-28 5 收藏 516KB PDF 举报
"DDR3中文数据手册 Micron - MT16LD1664AG-6X 是Micron公司的一款DDR3内存模块,主要规格包括8MBx64、16MBx64和32MBx64的非缓冲DRAM DIMMs。手册提供了详细的技术参数、时序参数和特性描述,适用于需要了解该内存模块性能和操作的工程师或技术人员。" DDR3内存是计算机系统中常用的内存类型,这款Micron MT16LD1664AG-6X内存模块有以下几个关键知识点: 1. **产品规格**:这款内存模块提供三种容量选项,分别是64MB (8 Meg x 64位),128MB (16 Meg x 64位),以及256MB (32 Meg x 64位)。这里的数字表示存储密度,64位表示数据总线宽度。 2. **非缓冲设计**:"Nonbuffered"表明该内存模块不包含缓冲器,这意味着它依赖于主板上的内存控制器直接管理数据传输,减少了额外的硬件开销,但可能会影响数据传输速度。 3. **时序参数**:手册中的时序参数是评估内存性能的重要指标,如tRC(行循环时间),tRAC(行激活到列地址选择的时间),tPC(预充电周期时间),tAA(地址到地址的访问时间),tCAC(从CAS#到数据有效的时间)和tCAS(列地址到数据有效的时间)。例如,-5和-6表示两个不同的速度等级,对应不同时间值,-5代表更快的速度。 4. **电源与兼容性**:单个+3.3V ±0.3V电源供应,所有输入、输出和时钟信号均兼容LVTTL(低电压晶体管-晶体管逻辑),确保了与广泛系统的兼容性。 5. **刷新机制**:4,096-cycle CAS#-BEFORE-RAS# (CBR)刷新机制是在64毫秒内分布执行的,这是DDR内存保持数据完整性的必要条件。 6. **EDO Page Mode访问**:扩展数据输出(EDO)页模式访问周期是提高内存性能的一种方式,允许在保持CAS#有效的情况下连续读取或写入多个数据字节,提高数据传输效率。 7. **Serial Presence Detect (SPD)**:内存模块内置的SPD芯片可以提供关于模块配置的信息,如速度、电压和冷却需求,这些信息被系统BIOS用来正确配置内存。 8. **封装与标记**:168引脚DIMM封装,采用金手指接口,而-5和-6标记代表了不同的访问速度等级。 对于需要使用或设计与Micron MT16LD1664AG-6X兼容系统的工程师而言,这份数据手册是至关重要的参考资料,提供了所有必要的技术细节和操作指导。最新的数据手册应从Micron的官方网站获取,以确保获取最新的产品信息。