电子设备与电路理论第11版：模电英文教材

"Electronic Devices and Circuit Theory 11th Edition 是一本关于电子设备和电路理论的英文教材，非扫描版，带有书签，便于学习和查阅。该教材涵盖了半导体二极管、双极结型晶体管（BJTs）等重要主题，并讨论了直流偏置电路设计等内容。" 本教材详细讲解了电子学的基础知识，以下是其中的重点内容： 1. **半导体二极管**： - 电荷与能量关系：W=QV，其中W代表功，Q是电荷，V是电压；1电子伏特（1eV）等于1.6*10^-19焦耳（J）。 - 二极管方程：ID=Is(e^(Vd/nVT)-1)，ID是二极管电流，Is是饱和电流，Vd是二极管两端电压，n是电子迁移率，VT是热电压。 - 热电压VT=kT/q，其中k是玻尔兹曼常数（1.38*10^-23 J/K），T是绝对温度（K）。对于硅二极管，VK约等于0.7V，锗二极管约为0.3V，而GaAs二极管则为1.2V。 - 此外，还介绍了二极管的动态电阻RD和静态电阻rd，以及功率耗散PD。 2. **二极管应用**： - 不同材料的二极管，如硅、锗和GaAs，其导通电压不同，这在实际电路设计中很重要。 - 半波整流时，输出直流平均电压Vdc约为峰值电压Vm的0.318倍；全波整流时，Vdc约为0.636Vm。 3. **双极结型晶体管（BJTs）**： - BJT的基本关系：IE=IC+IB，其中IE是发射极电流，IC是集电极电流，IB是基极电流。 - 集电极电流IC由多数载流子和少数载流子贡献，且IC=αIE+ICO，其中α是电流增益，ICO是反向饱和电流。 - BJT的工作特性：VBE通常为0.7V，放大系数表示为α和β，β=IC/IB，且有关系a=β/(β+1)。 - BJT的直流偏置分析：包括固定偏置、发射极稳定偏置和分压偏置电路的设计方法，以及电压反馈偏置和共基极配置的应用。 4. **直流偏置——BJTs**： - 固定偏置电路中，基极电流IB由VCC-VBE和RB决定，VCE由VCC-ICRC给出，当IC达到饱和状态时，IC=VCC/RC。 - 发射极稳定偏置电路中，基极电流由VCC-VBE和RB+(b+1)RE决定，此时Ri=(b+1)RE，VCE=VCC-IC(RC+RE)。 - 分压偏置电路的精确和近似计算，以及电压反馈偏置电路中的偏置电流计算。 5. **开关晶体管**： - 开关晶体管用于高速开/关操作，其开关时间是设计和性能评估的关键参数。 这本教材深入浅出地介绍了电子设备和电路理论的核心概念，是学习和理解电子技术的宝贵资料。