英飞凌IPI045N10N3 G MOSFET中文规格书：低阻高性能

"IPI045N10N3 G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 这份文档详细介绍了英飞凌公司生产的IPI045N10N3 G型号的OptiMOS 3功率晶体管。这款芯片是一款N沟道、正常电平的MOSFET，主要特点包括优秀的门极充电量乘以导通电阻（FOM）产品，非常低的导通电阻，高达175°C的工作温度，无铅镀层且符合RoHS标准，根据JEDEC标准进行合格验证，适用于高频开关和同步整流，并且符合IEC61249-2-21的无卤素要求。 关键性能参数如下： - 最大 Drain-Source 电压 (VDS): 100V - 最大导通电阻 (RDS(on),max): 4.5 mΩ - 最大电流 (ID): 137 A - 封装类型与订购代码: IPI045N10N3G - 封装形式: PG-TO262-3 - 标签代码: 045N10N 手册还包含以下内容： 1. 描述：对芯片的基本功能和设计目的的概述。 2. 最大额定值：列出芯片可以承受的最大电气和环境条件。 3. 热特性：详细说明了芯片在不同工作条件下的热性能，如热阻和最大结温等。 4. 电气特性：列出了芯片的电气参数，如阈值电压、栅极电荷、输入电容等。 5. 电气特性图表：用图形方式展示了这些参数与温度、电压的关系。 6. 封装轮廓：提供了芯片物理封装的尺寸和布局信息。 7. 修订历史：记录了手册的版本更新和改动。 8. 商标信息：列出了相关的品牌和商标。 9. 免责声明：关于使用和解释数据表信息的法律声明。 IPI045N10N3 G MOSFET适用于需要高效能和高温稳定性的应用，例如电源管理、开关模式电源、直流-直流转换器以及需要高频率操作和低损耗的场合。其优化的FOM表明，该器件在开关速度和功耗之间达到了很好的平衡，使得它成为高效率电源解决方案的理想选择。此外，符合RoHS和无卤素标准的特性也确保了其在环保方面的合规性。