英飞凌IGC28T65QE高-speedIGBT3芯片技术规格

"IGC28T65QE是英飞凌科技公司(INFINEON Technologies)生产的一款高速IGBT3芯片，适用于不间断电源、焊接转换器和高频转换器等应用领域。该芯片采用650V沟槽和场停止技术，具有高开关速度、低饱和电压(VCE(sat))、低电磁干扰(EMI)、低关断损失、正温度系数以及符合JEDEC标准的资质。芯片尺寸为6.57x4.2mm²，采用saw on foil封装。" IGC28T65QE是一款高性能的功率半导体器件，其主要特点包括： 1. **650V Trench & Field Stop 技术**：这种技术允许芯片在高达650V的电压下工作，同时提供良好的耐压性能，确保在高压环境下的稳定运行。 2. **高开关速度**：作为第三代高开关速度系列的一部分，IGC28T65QE设计用于处理快速的开关操作，这在高频转换器和其他需要快速动态响应的应用中至关重要。 3. **低饱和电压（VCE(sat)）**：低饱和电压意味着在导通状态下，芯片两端的电压降低，从而降低了功耗，提高了效率。 4. **低电磁干扰（EMI）**：低EMI特性减少了设备在开关过程中产生的电磁辐射，有助于满足电磁兼容性要求，减少对其他电子组件的干扰。 5. **低关断损失**：低的关断损耗使得芯片在关闭时能量损失减小，有助于提高整个系统的能效。 6. **正温度系数**：芯片的饱和电压随温度升高而增加，这是一种防止过热的安全机制，因为随着温度上升，器件自动降低电流，防止热失控。 7. **JEDEC认证**：该芯片已经按照JEDEC（联合电子设备工程委员会）的标准进行测试和认证，确保其适用于目标应用。 8. **封装与机械参数**：IGC28T65QE采用6.57x4.2mm²的die尺寸，封装形式为saw on foil。芯片的发射极垫大小、栅极垫尺寸、总面积、厚度、晶圆尺寸、最大可能的芯片数量、前端钝化层材料、垫金属组成、背面金属系统、die粘合材料和线键合类型等均有详细说明。 9. **应用领域**：该芯片特别推荐用于不间断电源系统、焊接转换器和需要高开关频率的转换器，这些应用需要高效、快速且稳定的电力转换。 IGC28T65QE是一款专为高效率、高可靠性设计的IGBT芯片，广泛应用于电力电子设备，特别是在对开关速度和电磁兼容性有严格要求的场合。