NTB75N03-06T4G-VB：N沟道MOSFET在电源管理中的应用

"NTB75N03-06T4G-VB是一款N沟道TrenchFET Power MOSFET，适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换应用。" NTB75N03-06T4G-VB是一款由N沟道技术制造的TrenchFET功率MOSFET，采用TO263封装，适用于多种电子设备，如服务器电源管理和DC/DC转换器。这款MOSFET的特点在于其高效的TrenchFET结构，这种结构通过精细的沟槽技术提高了器件的开关性能和热效率。 在电气特性方面，NTB75N03-06T4G-VB的最大drain-source电压（VDS）为30V，意味着它可以承受的最大电压差为30伏。当gate-source电压（VGS）为10V时，其漏源导通电阻（RDS(on)）低至0.0038欧姆，而在VGS=4.5V时，RDS(on)上升到0.0044欧姆，这确保了在低电压下也能保持良好的导通状态。此外，该MOSFET的典型栅极电荷（Qg）为82nC，反映了其快速开关能力。 在额定电流方面，连续drain电流（ID）在环境温度为25°C时最大可达98A，但随着温度升高，如达到70°C，ID会相应减少。脉冲drain电流（IDM）可以达到300A，表明它能处理短时间的大电流脉冲。同时，对于短路保护设计，它具有瞬态电流限制，且源漏二极管的连续电流（IS）在25°C时为90A。 在安全性上，NTB75N03-06T4G-VB符合RoHS指令2011/65/EU，确保不含有害物质。绝对最大额定值包括：gate-source电压为±20V，连续drain电流在175°C结温下仍可达到98A，但需注意最大功率耗散（PD）会随温度变化，25°C时为250W，而70°C时降至175W。此外，单脉冲雪崩能量（EAS）为64.8mJ，表明其能够承受一定的雪崩击穿能量而不受损。 NTB75N03-06T4G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适合需要高效率和良好热管理的电源解决方案，尤其是在OR-ing电路和电源转换应用中。其低RDS(on)和高速开关特性使其成为高功率密度设计的理想选择。然而，实际应用中必须注意温度对电流和功率耗散的影响，以确保设备的稳定运行和寿命。