"NTB75N03-06T4G-VB是一款N沟道TrenchFET Power MOSFET,适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换应用。"
NTB75N03-06T4G-VB是一款由N沟道技术制造的TrenchFET功率MOSFET,采用TO263封装,适用于多种电子设备,如服务器电源管理和DC/DC转换器。这款MOSFET的特点在于其高效的TrenchFET结构,这种结构通过精细的沟槽技术提高了器件的开关性能和热效率。
在电气特性方面,NTB75N03-06T4G-VB的最大drain-source电压(VDS)为30V,意味着它可以承受的最大电压差为30伏。当gate-source电压(VGS)为10V时,其漏源导通电阻(RDS(on))低至0.0038欧姆,而在VGS=4.5V时,RDS(on)上升到0.0044欧姆,这确保了在低电压下也能保持良好的导通状态。此外,该MOSFET的典型栅极电荷(Qg)为82nC,反映了其快速开关能力。
在额定电流方面,连续drain电流(ID)在环境温度为25°C时最大可达98A,但随着温度升高,如达到70°C,ID会相应减少。脉冲drain电流(IDM)可以达到300A,表明它能处理短时间的大电流脉冲。同时,对于短路保护设计,它具有瞬态电流限制,且源漏二极管的连续电流(IS)在25°C时为90A。
在安全性上,NTB75N03-06T4G-VB符合RoHS指令2011/65/EU,确保不含有害物质。绝对最大额定值包括:gate-source电压为±20V,连续drain电流在175°C结温下仍可达到98A,但需注意最大功率耗散(PD)会随温度变化,25°C时为250W,而70°C时降至175W。此外,单脉冲雪崩能量(EAS)为64.8mJ,表明其能够承受一定的雪崩击穿能量而不受损。
NTB75N03-06T4G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适合需要高效率和良好热管理的电源解决方案,尤其是在OR-ing电路和电源转换应用中。其低RDS(on)和高速开关特性使其成为高功率密度设计的理想选择。然而,实际应用中必须注意温度对电流和功率耗散的影响,以确保设备的稳定运行和寿命。