IRFR3411PBF-VB：100V耐压N沟道TO252封装MOSFET特性与规格

IRFR3411PBF-VB是一款高性能的N沟道沟槽型MOS场效应晶体管（TrenchFET），它被设计用于高压、高效率的电子应用中。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **结构与特性**： - **N沟道设计**：适合于负载开关、逆变器和电源管理等电路，能够提供低导通电阻（rDS(on)）。 - **高温耐受**：最高junction温度可达175°C，适合在严苛的环境下工作。 - **低热阻封装**：TO252封装设计有助于散热，提高整体效率。 2. **电气参数**： - **击穿电压**（V(BR)DSS）为100V，保证了安全的工作范围。 - **rDS(on)** 在VGS=10V时为0.030Ω，显示出其高效能。 - **持续电流** (ID)在25°C时可达40A，而在125°C下降低到23A。 - **最大脉冲电流** (IDM) 达120A，适用于短时间大电流操作。 - **雪崩电流** (IAR) 为35A，提供了过载保护能力。 - **能量吸收能力** (EAR) 在L=0.1mH条件下为61mJ，确保了器件在冲击下的稳定性。 3. **功率处理**： - **最大功率损耗** (PD) 在25°C环境下的典型值为107W，但在不同温度下会有变化。 - **热阻指标**：从junction到ambiente的热阻（RthJA）为40°C/W，而junction到case的热阻（RthJC）为1.4°C/W，表明良好的散热设计。 4. **温度范围**： - **操作和储存温度**：从-55°C到175°C，覆盖了广泛的应用环境。 - **注意**：虽然未满足RoHS标准，但可能存在豁免情况，需查阅具体信息。 5. **封装与合规性**： - TO252封装形式，适用于各种电路板设计。 - 部分终端可能含有铅，可能不完全符合RoHS要求，但可能有特定的豁免条件。 IRFR3411PBF-VB是一种适合高压、高可靠性应用的N沟道MOSFET，具有优秀的温度耐受性和高效能，但在使用前应确保符合其规格限制和特定的兼容性要求。