TSMC eFuse规格详解：高级128x32 HD18阵列技术

TSMC eFuse Spec文档详细介绍了Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) 的一款高密度电子熔丝(TEF22ULP128X32HD18_PHRM)产品。这款eFuse是一款非易失性存储器，由标准CMOS逻辑工艺制造，适用于芯片ID、内存冗余、安全代码、配置设置以及功能选择等多种应用。它由128个32位一次可编程电熔丝组成，具有随机存取接口，每个电熔丝单元具有128位深度。 1. 设计特性: - 高密度：该阵列包含4096位，提供大量的存储空间。 - 功耗控制："P"表示功率开关，用于1.8V编程，"H"代表低功耗I/O布线，有X32个通道。 - 冗余选项："R"表示冗余设计，可以提高系统的可靠性和稳定性。 - 安全读取："M"可能指边际读取功能，用于保护数据在不同工作条件下的完整性。 2. 技术细节: - 基于1P5M技术架构，即一个金属层（poly）配合五个金属层（inter-metal），这表明其采用的是多层金属工艺，有利于实现更小的尺寸和更高的集成度。 3. 工作范围和注意事项: - eFuse只在文档规定的电压和温度条件下保证正常工作，超出这个范围可能导致永久性损坏。 - 用户在设计和应用时需要确保操作在推荐的工作参数内，以避免不必要的故障或性能损失。 4. 版权声明与更新： - TSMC保留随时更改产品特性和规格的权利，任何改动均不需通知，用户应查阅最新版本以获取最新信息。 - 访问TSMC的官方网站www.tsmc.com获取最新的技术资料和支持。 TSMC eFuse Spec文档提供了关于TSMC的高性能、高密度电子熔丝的关键信息，包括其结构、应用领域、技术规格以及使用注意事项。这对于了解和开发基于eFuse的集成电路设计者来说是一份重要的参考资源。