极紫外光刻掩模衍射谱快速仿真：改进结构分解法

"基于改进型结构分解的极紫外光刻掩模衍射谱快速仿真方法" 本文主要探讨了一种针对极紫外（EUV）光刻掩模衍射谱的高效仿真技术，旨在解决掩模复杂图形分布的快速精确模拟问题。通过对掩模的吸收层和多层膜进行独立建模，结合两者来实现对掩模衍射特性的准确预测。针对吸收层中存在图形偏移的情况，采用了扩展的边界脉冲修正法进行仿真，确保在图形位置发生变化时仍能保持较高的仿真精度。 对于无缺陷和含缺陷的多层膜，研究中分别采用了等效膜层法和基于单平面近似的仿真策略。在处理含缺陷的多层膜时，通过等效膜层法修正单平面近似法中的平面镜反射系数，从而在大角度入射条件下提高了仿真精度。同时，通过引入张量积和矢量化并发计算技术，显著提升了仿真的速度，降低了计算复杂度。 实验证明，对于无缺陷的掩模，该改进方法与严格的仿真方法相比，误差在0.4纳米以内，且在仿真速度和精度上都有所提升。对于含有缺陷的掩模，改进方法可以精确模拟图形关键尺寸随吸收层偏移的变化。在0.6纳米的仿真误差范围内，对于周期为240纳米的掩模，仿真速度提升了150倍，显示出了极大的效率优势。 关键词涵盖了衍射、极紫外光刻、掩模衍射谱仿真、结构分解法、掩模优化和缺陷补偿，表明该研究专注于EUV光刻技术中的关键问题，通过优化计算方法提高掩模设计和制造过程的效率与准确性。这一研究成果对于推动EUV光刻技术的发展，特别是对于优化掩模设计和缺陷管理，具有重要的理论和实践价值。