DMG3415UFY4-7-VB: 30V SOT23 P-Channel MOSFET with High-Current &...

本文档介绍了一款名为DMG3415UFY4-7-VB的P-Channel场效应MOS管，采用SOT23封装，特别适用于移动计算、负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等应用。这款MOSFET属于TrenchFET® PowerMOSFET系列，其主要特性包括： 1. **封装类型**：SOT23封装，适合表面安装在1英寸x1英寸FR4板上，节省空间且便于集成。 2. **电压等级**：最大允许的 Drain-Source (D-S) 电压为30V，而Gate-Source (G-S) 电压范围是±20V，确保了宽广的工作电压区间。 3. **电流能力**： - 持续工作条件下的Drain Current (ID) 在VGS = -10V时为0.046Ω，随着VGS电压降低，如VGS = -6V时ID为0.049A，VGS = -4.5V时ID为0.054A。 - 考虑到温度变化，ID在不同温度下有所不同，例如在70°C时连续工作电流会有所下降。 4. **功率管理**：在正常工作状态下，最大功耗PD在25°C下可达2.5W，但随着环境温度升高，如70°C时会降至1.6W，体现了良好的热管理设计。 5. **脉冲电流处理**：短时间（100μs）下的Pulsed Drain Current (IDM) 达到-18A，确保了设备在短暂高负载下的性能。 6. **保护特性**：有-5.6A的持续源-漏二极管电流(IS)，同时提供了关于热阻抗和存储温度范围的重要参数，如TJ（操作结温）在-55°C至150°C之间，Tstg（储存温度）同样在此范围内。 7. **质量保证**：100% Rg Tested，确保了器件的可靠性，表明制造商进行了严格的测试来保证每个器件的电气性能。 DMG3415UFY4-7-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET，针对特定应用场景提供稳定和高效的电流控制，同时考虑到了散热、可靠性和温度适应性。设计者在选择或评估该型号时，应参考其电压、电流限制、功耗和温度特性，以确保电路的稳定运行。