STM32F10xxx电源控制寄存器详解与应用
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更新于2024-08-09
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在STM32F103系列微控制器中,电源控制寄存器(Power Control Register, PWR_CR)是一个关键的寄存器,用于管理芯片的电源状态和监控功能。该寄存器位于地址偏移0x00处,其复位值为0x0000 0000。以下是对PWR_CR寄存器各个位的详细解释:
1. **DBP** (Disable Backup Write Protection): 位8,取消后备区域的写保护。在复位后,RTC(实时时钟)和后备寄存器默认是被保护的,防止意外写入。将DBP置1,允许对RTC和后备寄存器进行写操作。
2. **PLS[2:0]** (Power Voltage Detector Level Selection): 位7到5,用于选择PVD(电源电压检测器)的电压阈值。这些位可以设置不同的电压等级,范围从2.2V到2.9V,每增加一个单位,电压阈值上升0.1V。
3. **PVDE** (Power Voltage Detector Enable): 位4,PVD使能。当PVDE置1时,PVD功能被开启,用于监测电源电压并触发中断或事件,当电压低于所选阈值时。
4. **CSBF** (Clear Standby Flag): 位3,清除待机位。这是一个只读位,始终读为0,不执行任何功能。
5. **CWUF** (Clear Wakeup Flag): 位2,清除唤醒标志。这个位在从低功耗模式唤醒时被自动清除,或通过写1来清除。
6. **PDDS** (Power Down Deep Sleep): 位1,电源下降深度睡眠模式。该位用于设置芯片在停止模式下的电源状态。
7. **LPDS** (Low Power Deep Sleep): 位0,低功耗深度睡眠模式。当此位被置1时,系统进入低功耗深度睡眠模式,这是一种低功耗状态。
STM32F103是基于ARM Cortex-M3内核的32位高性能微控制器,具备不同内存容量、封装和外设配置。开发者在进行应用开发时,应参考STM32F10xxx系列的数据手册和参考手册,了解如何利用存储器和外设。此外,对于闪存编程、擦除和保护等操作,需要查阅专门的闪存编程手册。同时,理解Cortex-M3技术参考手册对于深入掌握微控制器的工作原理至关重要。
STM32F103的存储器架构包括系统架构、存储器组织和存储器映像。其中,外设存储器映像提供了对各种外设寄存器的访问,而嵌入式SRAM则为程序运行提供高速数据存储空间。开发者应熟悉这些概念,以便有效地管理和控制微控制器的运行。
2025-01-08 上传
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