ARM7TDMI存储器详解：内部与外部存储、编程方式及地址映射

"ARM7TDMI的存储器结构与地址映射详解" ARM7TDMI处理器的存储架构包括内部和外部存储器两大部分，这两部分共同构成了系统的内存空间，为程序执行提供必要的存储资源。 1. 内部存储器： - **片内FLASH程序存储器**：大多数LPC2000系列的ARM7TDMI芯片内置了不同容量的片内Flash，用于存放代码和数据。这些Flash通过高速的局部总线与CPU核心相连，支持在Flash中直接执行程序，无需将代码加载到RAM。编程片内Flash可以通过JTAG接口、在系统编程(ISP)的UART0通信或在应用编程(IAP)进行，后者允许在运行时更新固件，提高了系统的灵活性。 - **静态RAM (SRAM)**：LPC2000系列的ARM7TDMI包含静态RAM，其大小因具体芯片型号而异，主要用于存储代码和数据。SRAM具有高速存取特性，确保了处理器的高效运行。 2. 外部存储器： - **片外存储器接口**：LPC2200系列支持符合ARM PL090标准的外部存储器接口，可以连接不同宽度（8位、16位、32位）的片外存储器。最多可扩展4个BANK，每个BANK的最大寻址范围为16MB。16位总线在实际应用中通常更具成本效益。相比之下，LPC2100系列需要通过片内外设模拟总线时序来访问外部存储器。 - **操作外扩存储器**：对于外扩的SRAM，可以直接通过LDR和STR指令进行读写操作。而对于NOR型Flash，仅能使用LDR读取数据，写入操作需要遵循Flash芯片的特定编程时序。若要烧录程序，通常需要一个加载程序（loader）将接收的代码数据写入片外Flash。 3. 存储器地址映射： - **虚拟地址与物理地址**：ARM处理器生成的地址是虚拟地址，通过地址映射技术将其转换为实际的物理地址，物理地址指示了存储器的实际位置。地址映射允许将不同功能的内存区域分配到特定的地址范围，使得处理器能够有效地访问和管理内存资源。 - **存储器映射**：在设计系统时，需要通过存储器映射将各种硬件外设、内存区域等分配到合适的地址空间。这通常涉及到I/O端口、中断控制器、定时器以及其他外设的地址规划，以确保它们能够在系统运行时正确交互。 理解ARM7TDMI的存储器结构和地址映射对于系统设计和应用程序开发至关重要，因为它们直接影响到程序的运行效率和系统资源的利用率。在实际应用中，合理规划和配置存储资源，以及正确处理内外部存储器的交互，能够优化系统的性能和稳定性。