SOT23-30V N-Channel MOSFET: High-Performance for DC/DC Converter...
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更新于2024-08-03
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本文档介绍的是CES2316-VB型号的SOT23封装N-Channel场效应MOS管,由VBSEMI公司生产。该器件是一款高性能的开关元件,特别适用于低电压和大电流应用,如DC/DC转换器。
1. **封装类型与特性**:
SOT23封装是一种小型化设计,方便在电路板上密集布局。这款MOSFET采用Trench FET技术,具有 trench型沟道结构,这有助于降低栅极到源极(RDS(ON))的电阻,提高开关效率。在10V的栅极源极电压(VGS)下,RDS(ON)低至30毫欧姆(mΩ),而在20V时也有较低的导通电阻表现,体现了其高开关速度和良好的散热性能。
2. **电气规格**:
- 驱动电流:在室温下,连续工作电流可达6.5A,当温度升至70°C时,电流略有下降。
- 耐压能力:最大集电极-源极电压(VDS)为30V,栅极-源极电压范围是±20V。
- 反向漏电流:内置反向恢复二极管提供了连续源极-集电极电流(IS),在25°C时约为1.4A,但在高温条件下有所减少。
3. **热管理**:
- 最大功率损耗:在25°C下,最大功率处理能力为1.7W,随着温度升高,功率极限会相应降低,确保了器件在正常工作条件下的可靠运行。
- 温度范围:工作温度范围为-55°C到150°C,存储温度更低,且建议在260°C的峰值温度下进行焊接。
4. **合规性**:
- 符合RoHS指令2002/95/EC,体现了环保标准,无卤素符合IEC 61249-2-21标准。
- 100% Rg测试,确保了产品的可靠性。
5. **应用场景**:
由于其高性能和小型封装,该MOSFET适用于对功耗、尺寸和开关速度有较高要求的应用,如电源转换电路中的开关角色。
CES2316-VB N-Channel MOSFET 是一款在工业设计中极具竞争力的选择,尤其在那些需要紧凑布局、高效能和良好散热控制的DC/DC转换器等电子设备中。它的电气参数、热性能以及符合的行业标准都确保了其在实际应用中的稳健表现。
2024-04-16 上传
2024-04-15 上传
2024-04-15 上传
2024-04-15 上传
2024-04-15 上传
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