SOT23-30V N-Channel MOSFET: High-Performance for DC/DC Converter...

本文档介绍的是CES2316-VB型号的SOT23封装N-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。该器件是一款高性能的开关元件，特别适用于低电压和大电流应用，如DC/DC转换器。 1. **封装类型与特性**: SOT23封装是一种小型化设计，方便在电路板上密集布局。这款MOSFET采用Trench FET技术，具有 trench型沟道结构，这有助于降低栅极到源极（RDS(ON)）的电阻，提高开关效率。在10V的栅极源极电压（VGS）下，RDS(ON)低至30毫欧姆（mΩ），而在20V时也有较低的导通电阻表现，体现了其高开关速度和良好的散热性能。 2. **电气规格**: - 驱动电流：在室温下，连续工作电流可达6.5A，当温度升至70°C时，电流略有下降。 - 耐压能力：最大集电极-源极电压（VDS）为30V，栅极-源极电压范围是±20V。 - 反向漏电流：内置反向恢复二极管提供了连续源极-集电极电流（IS），在25°C时约为1.4A，但在高温条件下有所减少。 3. **热管理**: - 最大功率损耗：在25°C下，最大功率处理能力为1.7W，随着温度升高，功率极限会相应降低，确保了器件在正常工作条件下的可靠运行。 - 温度范围：工作温度范围为-55°C到150°C，存储温度更低，且建议在260°C的峰值温度下进行焊接。 4. **合规性**: - 符合RoHS指令2002/95/EC，体现了环保标准，无卤素符合IEC 61249-2-21标准。 - 100% Rg测试，确保了产品的可靠性。 5. **应用场景**: 由于其高性能和小型封装，该MOSFET适用于对功耗、尺寸和开关速度有较高要求的应用，如电源转换电路中的开关角色。 CES2316-VB N-Channel MOSFET 是一款在工业设计中极具竞争力的选择，尤其在那些需要紧凑布局、高效能和良好散热控制的DC/DC转换器等电子设备中。它的电气参数、热性能以及符合的行业标准都确保了其在实际应用中的稳健表现。