SOT23封装N-Channel MOSFET AP2304AN-VB: 30V 6.5A 低阻值特性

本文档介绍的是AP2304AN-VB这款SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，它由VBSEM制造，符合RoHS指令2002/95/EC标准，采用无卤素材料以满足IEC61249-2-21标准。这款器件是一款Trench FET功率MOSFET，具有出色的性能和可靠性。 1. **特性**: - 非卤素材料设计：确保环保合规。 - Trench FET结构：利用沟槽技术提高开关速度和效率。 - 100% Rg测试：确保了高质量和一致性。 - 符合RoHS指令：限制有害物质使用，保证电子设备的安全性。 2. **规格参数**: - 额定电压：VDS最大可达30V，VGS工作范围在±20V。 - 持续导通电流（ID）： - 在25°C下，最大值为6.5A（VGS=10V），6.0A（VGS=4.5V）。 - Pulsed Drain Current (IDM) 高达25A。 - 开关特性：如Qg典型值在TJ=150°C时为4.5nC，随温度变化而略有调整。 - 功率参数：最大功耗在25°C时为1.7W，70°C时为1.1W，有脉冲限制。 3. **应用领域**: - 主要用于直流-直流转换器等高性能、低损耗的电源管理电路。 4. **注意事项**: - 包装限制可能导致电流性能受限。 - 该器件是表面安装的，适合1"x1" FR4板。 - 热稳定性良好，但需注意在130°C/W的条件下操作，且存储温度范围为-55°C至150°C。 - 焊接建议的峰值温度为260°C。 5. **热阻**: - 提供了不同温度下的典型和最大热阻值，有助于散热设计。 AP2304AN-VB是一款高效率、小型化的N-Channel MOSFET，适用于对功率密度和效率有较高要求的电子设备中，其设计考虑了环保和安全性，并提供了详细的电气和热性能数据，以方便工程师在实际应用中进行选择和优化。