HITK0202MP-VB N-Channel MOSFET: 参数详解与应用

"HITK0202MP-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET晶体管，采用SOT23封装，主要特点包括无卤素、TrenchFET技术、通过栅极电阻测试，并符合RoHS指令。这款MOSFET适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。其关键参数如RDS(ON)、ID、Qg等在不同VGS电压下有明确数值，同时也列出了绝对最大额定值和工作条件。" HITK0202MP-VB是一款由VBsemi公司制造的N沟道MOSFET，其设计采用了先进的TrenchFET技术，这使得器件具有更小的体积和更低的导通电阻，从而提高了效率和功率密度。该MOSFET的额定 Drain-Source 电压（VDS）为20V，能承受的最大连续漏源电流（ID）在25°C时为6A，但这个值会随着温度的升高而降低。在25°C时，当栅极电压（VGS）为4.5V时，RDS(ON)仅为28mΩ，而在VGS=8.8V时，RDS(ON)为42mΩ，这表明该MOSFET在低电压下仍能保持良好的导通特性。 Qg是栅极电荷，它代表了开关过程中所需能量，对于HITK0202MP-VB，在25°C时，Qg的典型值分别为8.8nC（VGS=2.5V）、5.6nC（VGS=1.8V）。较低的Qg意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。 该器件还通过了100%的栅极电阻测试，确保了其一致性。同时，它符合RoHS指令，这意味着它不含铅且无卤素，符合环保要求。HITK0202MP-VB的应用主要包括DC/DC转换器，特别是在便携式设备中作为负载开关，因为它的小型SOT23封装和高效性能非常适合这些应用场景。 在绝对最大额定值方面，门极-源极电压（VGS）不能超过±12V，连续漏源电流（ID）在结温（TJ）为150°C时限制为6A，而脉冲漏源电流（IDM）可达20A。此外，连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为1.75A。最大功率耗散（PD）在25°C时为2.1W，而在70°C时降至1.3W。 操作结温及储存温度范围为-55到150°C，对于焊接推荐也有特定的指导。这些参数和特性使得HITK0202MP-VB成为设计者在电源管理、电池驱动应用和需要高效、小型化解决方案的领域中的理想选择。