AM2328N-T1-PF-VB：SOT23封装高效能N沟道MOSFET

"AM2328N-T1-PF-VB是一款由VBsemi公司生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOS管。这款MOS管具有20V的耐压，最大连续 Drain-Source 电流为6A，低至24mΩ的RDS(ON)值在VGS=4.5V时，以及0.45~1V的阈值电压（Vth）。其特性包括无卤素设计，采用TrenchFET®技术，100%栅极电阻测试，并符合RoHS指令。适用于DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。" AM2328N-T1-PF-VB的特性详细说明： 1. **无卤素设计**：该MOS管符合IEC61249-2-21标准的无卤素定义，这意味着它不含有卤素元素，有利于环保和减少有害物质的使用。 2. **TrenchFET®技术**：这是一种制造工艺，通过在硅片上形成深沟槽结构来提高MOSFET的性能，降低导通电阻并减小体积。 3. **100% Rg测试**：所有产品都经过了栅极电阻的测试，确保了产品的质量和一致性。 4. **RoHS合规**：符合欧盟的RoHS指令2002/95/EC，意味着它不含铅和其他限制使用的有害物质。 **应用范围**： - **DC/DC转换器**：在电源管理系统中，AM2328N-T1-PF-VB可以作为开关元件，用于电压转换和调节。 - **便携式设备的负载开关**：由于其小巧的SOT23封装和低功耗特性，适合在移动设备或电池供电设备中控制电流流动。 **产品摘要**： - **RDS(ON)**：导通电阻是衡量MOSFET在开通状态下的内阻，低RDS(ON)意味着更低的功率损耗。在VGS=4.5V时，典型值为28mΩ，VGS=8V时为42mΩ，VGS=1.8V时为50mΩ，但这些数值受封装限制。 - **最大连续Drain-Source电流**（ID）：在150°C结温下，ID的最大值为6A，而在不同环境温度下，如25°C和70°C，ID也会有所不同。 - **脉冲Drain-Source电流**（IDM）和**连续源漏二极管电流**（IS）：规定了MOS管在脉冲模式和作为二极管工作时的最大电流能力。 - **最大功率耗散**（PD）：在不同温度下，MOS管允许的最大功率消耗，以避免过热。 - **操作和储存温度范围**：工作和存储的温度范围为-55°C到150°C。 这款MOS管在设计时考虑到了各种工作条件下的稳定性，包括长时间工作在最大额定条件下。此外，还提供了适当的焊接推荐，确保在组装过程中不会损坏器件。AM2328N-T1-PF-VB是一款高性能、小型化且符合环保要求的MOS管，适合于对效率和尺寸有严格要求的应用场景。