DMN2114SN-7-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格与应用

"DMN2114SN-7-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。这款MOS管具有20V的额定电压，6A的连续漏电流，并在特定条件下具有低至24mΩ的漏源电阻（RDS(ON)）。" DMN2114SN-7-VB是一款由VBsemi公司生产的N-Channel沟道MOSFET，其封装形式是小巧的SOT23，适合在空间有限的电路设计中使用。该器件的核心特性之一是采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上形成深沟槽结构来降低导通电阻，从而提高效率并减少功耗。 该MOSFET的阈值电压（Vth）范围在0.45~1V之间，这意味着在不同的栅极电压下，它可以在较宽的范围内开启和关闭。对于RDS(ON)，在VGS=4.5V时，漏源电阻为28mΩ，而在VGS=8V时，这个值降低到42mΩ。更低的RDS(ON)意味着在导通状态下的功率损失更小，这对于高效率电源转换和开关应用尤其重要。 DMN2114SN-7-VB符合RoHS指令，不含有卤素，符合环保要求。此外，100%的Rg测试确保了器件的可靠性和一致性。这款MOSFET适用于各种应用，包括DC/DC转换器，作为便携式设备的负载开关，如手机、平板电脑或电池供电设备中的电源管理。 参数方面，器件的最大漏源电压（VDS）为20V，最大栅极源电压（VGS）为±12V。在特定条件下，连续漏电流（ID）可达6A，而脉冲漏电流（IDM）可以达到20A。此外，源漏二极管的连续电流（IS）为1.75A，最大功率耗散（PD）在不同温度下有所不同，例如在25°C时为2.1W，在70°C时为1.3W。工作和存储的结温范围是-55到150°C。 DMN2114SN-7-VB是一款高效、紧凑的N沟道MOSFET，适合于需要高效率和小型化设计的电源管理应用。其优秀的电气性能和严格的测试标准确保了其在实际应用中的稳定性和可靠性。