摩托罗拉2N5550/2N5551小信号晶体管技术规格

"2N5550.pdf 是一份关于 Motorola 品牌的小信号晶体管、场效应管和二极管的设备数据文档，主要介绍了2N5550和2N5551两种型号的硅材质NPN型晶体管的规格参数。" 2N5550 和 2N5551 是常用的硅基NPN型小信号晶体管，适用于各种电子电路，如放大器、开关应用等。以下是这些晶体管的关键技术参数： 1. **最大额定值**： - **集电极-发射极电压 (VCEO)**：对于2N5550，最高为140V；对于2N5551，为160V。这是晶体管在截止状态下能承受的最大电压。 - **集电极-基极电压 (VCBO)**：2N5550和2N5551的最高值分别是160V和180V，这是在晶体管未导通时，集电极与基极之间的最大允许电压。 - **发射极-基极电压 (VEBO)**：两者都为6.0V，是发射极与基极间的最大反向击穿电压。 - **连续集电极电流 (IC)**：最大连续集电极电流为600mA。 - **总设备耗散功率 (PD)**：在25°C环境温度下，2N5550的最大耗散功率为625mW，2N5551为5.0mW，每升高1°C，耗散功率会按特定比例下降。 2. **热特性**： - **结到环境的热阻 (R JA)**：200°C/W，这是从晶体管内部结温到周围环境的热传导阻力。 - **结到封装的热阻 (R JC)**：83.3°C/W，表示从结温到晶体管封装表面的热阻。 3. **电气特性（在25°C环境温度下，除非另有说明）**： - **关断特性**： - **集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO)**：2N5550和2N5551的V(BR)CEO分别在140V至160V之间，这代表晶体管在截止状态下的反向击穿电压。 - **集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO)**：同样在160V至180V之间，表示集电极与基极之间的最大反向耐压。 - **发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO)**：固定为6.0V，是发射极与基极之间的反向击穿电压。 4. **操作和存储结温范围 (TJ, Tstg)**：两者的工作和储存温度范围均为-55°C到+150°C，确保了在宽温度范围内工作的可靠性。 这些参数对于设计者来说至关重要，因为它们决定了晶体管在电路中的安全工作条件、效率以及稳定性。在实际应用中，设计者需要根据具体电路的需求和环境条件来选择适当的晶体管，并确保其工作在这些参数允许的范围内，以防止过热或损坏。