探索基础电子：九大常用电容器详解

基础电子中的九大常用电容器主要包括瓷介电容器和薄膜电容器两大类。 首先，我们来详细解析瓷介电容器。它是以陶瓷作为主要介质，通过在陶瓷上涂覆一层金属薄膜（通常为银），经过高温烧结工艺形成电极，然后在电极上焊接引出线，表面覆盖保护磁漆或使用环氧树脂和酚醛树脂进行封装。瓷介电容器的穿心式或支柱式结构使得其中一个电极可以是安装螺丝，这有助于减少引线电感，从而提供良好的频率特性，其介电损耗较小，具有一定的温度补偿性能。然而，由于结构限制，瓷介电容器通常不能做到大容量，且对于振动较为敏感，容易受到外界振动影响导致容量变化。高频瓷介电容（CC）如1～6800pF，额定电压在63～500V之间，主要特点是损耗小、稳定性好，适用于高频旁路电路。 另一种常见电容器是薄膜电容器，以塑料薄膜作为电介质，包括聚酯（涤纶）、聚苯乙烯和聚丙烯等类型。聚酯电容（CL）例如40pF～4uF，额定电压63～630V，特点是体积小、容量大，耐热耐湿，但稳定性可能较差，适合对稳定性要求不高的低频电路。聚苯乙烯电容（CB）如10pF～1uF，额定电压100V～30kV，以稳定性高和低损耗见长，但体积相对较大，适用于对稳定性和损耗有较高要求的电路。聚丙烯电容（CBB）则有更大的电容量范围1000pF～10uF，额定电压63～2000V，同样具备低损耗的特点。 选择哪种电容器取决于电路的需求，如工作频率、容量需求、稳定性、损耗以及成本等因素。瓷介电容器在高频电路中表现出色，而薄膜电容器则根据不同的塑料薄膜材料有不同的性能优势，适用于不同类型的电子设备和电路设计中。理解这些电容器的特性是电子工程师必备的基础知识。