CPH3348-VB：SOT23封装P沟道MOSFET，适用于移动计算

"CPH3348-VB是一款P沟道SOT23封装的MOSFET，适用于移动计算设备，如负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器。这款MOSFET采用TrenchFET技术，具有100%栅极电阻测试，并提供详细的绝对最大额定值和热特性。" CPH3348-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计在SOT23封装中，这使得它适合于空间有限且需要高效能的电子应用。其主要特点包括采用TrenchFET技术，这种技术通过在晶体管结构中使用沟槽形状来优化性能，降低了导通电阻，从而提高了效率和功率密度。 该MOSFET的典型漏源电压（VDS）为-30伏，这意味着它可以在正向偏置时承受高达30伏的电压。导通电阻（RDS(on)）在不同的栅极电压下有所不同，例如，当VGS=-10V时，RDS(on)为0.046欧姆，而当VGS=-4.5V时，RDS(on)增加到0.054欧姆。较低的RDS(on)值意味着在导通状态下流过器件的电流损失更小，因此可以提高整体系统效率。 产品概述中还提到了ID（连续漏电流）的最大值，例如，在25°C结温（TJ）下，ID的最大值为-5.6安培，而在70°C时，这个值降低至-5.1安培。对于脉冲漏电流（IDM），设备能够承受100微秒的脉冲电流高达-18安培。同时，源漏二极管的连续电流（IS）在25°C时为-2.1安培，但这个值在脉冲条件下可以更高。 关于功率耗散（PD），在25°C时，MOSFET的最大功率耗散为2.5瓦，而在70°C时，这个值降至1.6瓦。这些限制确保了器件在不同温度下的稳定运行。此外，器件的热特性包括结壳热阻（RθJC）和壳板热阻（RθCS），这些参数对了解器件在不同条件下的散热能力至关重要。 总结来说，CPH3348-VB是一款专为移动计算应用设计的高效P沟道MOSFET，它的低RDS(on)、小巧的SOT23封装和良好的热管理特性使其成为电源管理、负载切换和转换器等应用的理想选择。其绝对最大额定值和热特性确保了在各种工作条件下的可靠性和耐用性。