IPD06N03LAG-VB：N沟道20V TO-252封装MOSFET技术规格

"IPD06N03LAG-VB是一种N沟道的TrenchFET PowerMOSFET，采用TO-252封装。这款MOSFET的最大结温为175°C，经过100%Rg测试。其主要特性包括20V的额定漏源电压（VDS）、低的导通电阻（rDS(on)），在VGS=4.5V时为0.0045Ω，在VGS=2.5V时为0.006Ω。此外，它还能承受100A的连续漏电流（ID）在25°C时，以及90A在100°C时。产品还具备脉冲漏电流200A的能力，以及连续源电流（Diode Conduction）65A的限制。最大功率耗散在25°C时为71W，而在相同温度下的瞬态功率耗散为8.3W。" IPD06N03LAG-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其采用了先进的TrenchFET技术，这使得它具有更小的尺寸、更低的导通电阻以及更高的开关速度，从而在电源管理、驱动电路和高速开关应用中表现出色。TrenchFET设计通过在MOSFET的沟道区域采用沟槽结构，有效降低了电阻，提升了器件的效率。 这款MOSFET的绝对最大额定值表明了其安全工作范围。VDS的最大值为20V，意味着源极和漏极之间的电压不能超过这个数值，否则可能损坏器件。同时，门极-源极电压VGS的最大负值为15V，这意味着门极相对于源极的电压不应超过这个负值，以防止反向偏置。连续漏电流ID在25°C和100°C下分别为100A和80A，确保了在不同温度环境下的稳定工作。 此外，该MOSFET的脉冲漏电流IDM为200A，适合于短时间大电流的应用场景。连续源电流IS限制在65A，表明在二极管导通模式下允许的最大电流。最大功率耗散方面，PD在25°C时为71W，但考虑到热管理，如果表面安装在1英寸x1英寸的FR4板上，瞬态功率耗散限制在8.3W。 热性能方面，IPD06N03LAG-VB的典型和最大结壳热阻RthJC分别为1.75和2.1°C/W，而结到环境的热阻RthJA则为40和50°C/W，这些参数对于评估MOSFET在散热条件下的稳定性至关重要。器件的工作结温和储存温度范围为-55到175°C，适应宽温工作环境。 总体来说，IPD06N03LAG-VB是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET，适用于需要高效能和低热阻的电源转换、驱动电路以及工业和汽车电子等高要求领域。用户可以通过VBsemi提供的服务热线400-655-8788获取更多信息。