碳化硅MOSFET通用技术规范：耗尽与增强型

本标准《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）标准化委员会制定，旨在为碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）提供统一的技术规范。该规范适用于B型（耗尽型，常开）和C型（增强型，常闭）两种类型的MOSFET，它们通常包含内置的反向二极管。标准基于国际电工委员会（IEC）60747的部分内容，特别强调了那些带有体二极管的MOSFET在特定应用场景中的使用，例如电机控制设备，其中体二极管可能作为续流二极管发挥关键作用。 注释指出，某些MOSFET可能不提供数据手册中关于体二极管特性的详细信息，这表明技术仍在发展中。为了确保设备的正确使用，制造商可能会在MOSFET设计中包含消除体二极管影响的特殊电路结构。同时，MOSFET在IEC 60747-8中被归类为绝缘栅场效应晶体管（IGFET），进一步明确了其电子特性和分类。 标准不仅涵盖了MOSFET的基本参数，如额定值和特性，还包括了测试方法，如耐久性和可靠性测试，以及型式试验和例行试验的要求。对于标准的使用，CASA明确声明，未经许可，任何单位和个人不得随意复制或以其他方式使用标准内容，引用时必须注明标准编号。CASA也强调，标准发布时并未收到有关专利的报告，但并不承担确认是否存在专利冲突的责任。 本标准的主要起草工作由特定单位完成，由一群专业人员负责编写，这体现了对高性能半导体器件制造技术的严谨态度和专业精神。通过遵循这个通用技术规范，设计者和制造商可以确保他们的产品符合行业标准，提高产品的可靠性和一致性。