CH32F103单片机Flash快速编程移植指南

"CH32F103 FLASH快速编程移植说明" STM32程序移植到CH32F103单片机涉及到的关键技术点是针对CH32F103特有的快速编程模式进行适配。CH32F103与STM32系列在Flash操作上的差异在于其提供了快速编程模式，这可以显著提高编程速度，尤其是对于频繁更新固件的应用场景来说，这一特性尤其重要。 首先，要在`ch32f10x.h`文件中对`FLASH_TypeDef`结构体进行扩展，添加`MODEKEYR`成员的定义。这个成员在CH32F103的硬件规格中用于快速编程模式的启用和禁用，是移植过程中必不可少的部分。修改`FLASH_Unlock`函数，确保在解锁Flash控制器时正确处理`MODEKEYR`，以便启用快速编程。 接着，考虑到CH32F103的Flash最大容量为64KB，需要在`stm32f10x_flash.h`文件中更新Flash容量的定义。对于不同容量的芯片，可以调整这个数值以适应实际的Flash大小。例如，对于64KB的Flash，可以设置`0x10000`表示一个页的大小。 在`stm32f10x_flash.c`文件中，需要添加Flash寄存器的快速编程位定义。这些定义如`CR_PAGE_PG`, `CR_PAGE_ER`, `CR_BUF_LOAD`, 和 `CR_BUF_RST`分别用于启动Page编程、Page擦除、缓冲区加载和缓冲区复位操作。这些位在执行Flash操作时会被设置或清除，以控制Flash控制器的行为。 在移植过程中，还需要修改`FLASH_ErasePage()`函数以支持快速编程。函数的修改包括检查Page地址是否在有效范围内，设置`CR_PAGE_ER`标志启动页擦除，设置`AR`寄存器指向要擦除的页地址，然后启动操作(`CR_STRT_Set`)。在等待`SR_BSY`（忙碌状态）标志清零后，清除`CR_PAGE_ER`标志，确保操作完成。最后，通过写入特定地址来执行快速编程操作。 在移植过程中，开发者还应当注意处理可能出现的错误状态，如`SR_PGERR`(编程错误)和`SR_WRPRTERR`(写保护错误)，以及确认`SR_EOP`(操作结束)标志。这些状态检查可以确保程序在遇到异常情况时能够适当响应。 从STM32向CH32F103移植Flash编程功能时，关键步骤包括修改头文件以包含CH32F103的特定定义，更新Flash操作函数以支持快速编程模式，并处理可能的错误状态。通过这些修改，可以实现原有STM32工程在CH32F103上的快速移植，充分利用其快速编程的优势。