SOT23封装P-Channel MOSFET - APM2323AAC-TRL-VB详细规格
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更新于2024-08-03
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"APM2323AAC-TRL-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应MOS管,适用于低电压、中等电流的应用场景。其关键参数包括:最大漏源电压VDS为-20V,最大连续漏极电流ID在25°C时为-4A,门极阈值电压Vth为-0.81V,且在特定条件下具有较低的导通电阻RDS(ON),如VGS=4.5V时RDS(ON)=57mΩ。此外,该器件还具有快速开关特性和良好的热性能。"
APM2323AAC-TRL-VB是一款由VBsemi公司制造的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用小型SOT23封装,适合在空间有限或对封装尺寸有严格要求的设计中使用。这款MOSFET的关键特性在于其电气参数:
1. **漏源电压(VDS)**:-20V,这意味着在正常工作状态下,MOSFET的漏极与源极之间的最大电压可以达到-20V,适用于处理负向电压的电路。
2. **连续漏极电流(ID)**:在结温TJ=150°C时,最大ID为-4A,表明MOSFET可以连续处理的最大电流。在25°C和70°C环境下,这一数值会有所降低。
3. **导通电阻(RDS(ON))**:在VGS=4.5V时,RDS(ON)为57mΩ,这代表了当MOSFET完全开启时,源极到漏极的电阻,数值越小意味着导电效率越高,功耗也更低。
4. **门极阈值电压(Vth)**:-0.81V,这个值决定了使MOSFET从截止状态转换到导通状态所需的最小门极电压。
5. **栅极电荷(Qg)**:10nC,表示开关MOSFET所需充电或放电的总电荷量,影响开关速度。
6. **热性能**:最大结壳热阻RthJC(稳态)为40-50°C/W,最大结温至环境热阻RthJA在5s脉冲条件下为75-100°C/W,这两个参数反映了器件在工作时如何有效地散发热量。
这款MOSFET的特性还包括了无卤素设计,符合环保要求,适合在各种电子设备中使用,特别是那些需要低功耗、高效率和紧凑封装的应用,例如电池供电的便携式设备、电源管理电路、负载开关以及信号开关等。
2024-03-15 上传
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2024-03-15 上传
2024-03-15 上传
2024-06-25 上传
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2024-06-26 上传
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