SOT23封装P-Channel MOSFET - APM2323AAC-TRL-VB详细规格

"APM2323AAC-TRL-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应MOS管，适用于低电压、中等电流的应用场景。其关键参数包括：最大漏源电压VDS为-20V，最大连续漏极电流ID在25°C时为-4A，门极阈值电压Vth为-0.81V，且在特定条件下具有较低的导通电阻RDS(ON)，如VGS=4.5V时RDS(ON)=57mΩ。此外，该器件还具有快速开关特性和良好的热性能。" APM2323AAC-TRL-VB是一款由VBsemi公司制造的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用小型SOT23封装，适合在空间有限或对封装尺寸有严格要求的设计中使用。这款MOSFET的关键特性在于其电气参数： 1. **漏源电压（VDS）**：-20V，这意味着在正常工作状态下，MOSFET的漏极与源极之间的最大电压可以达到-20V，适用于处理负向电压的电路。 2. **连续漏极电流（ID）**：在结温TJ=150°C时，最大ID为-4A，表明MOSFET可以连续处理的最大电流。在25°C和70°C环境下，这一数值会有所降低。 3. **导通电阻（RDS(ON)）**：在VGS=4.5V时，RDS(ON)为57mΩ，这代表了当MOSFET完全开启时，源极到漏极的电阻，数值越小意味着导电效率越高，功耗也更低。 4. **门极阈值电压（Vth）**：-0.81V，这个值决定了使MOSFET从截止状态转换到导通状态所需的最小门极电压。 5. **栅极电荷（Qg）**：10nC，表示开关MOSFET所需充电或放电的总电荷量，影响开关速度。 6. **热性能**：最大结壳热阻RthJC（稳态）为40-50°C/W，最大结温至环境热阻RthJA在5s脉冲条件下为75-100°C/W，这两个参数反映了器件在工作时如何有效地散发热量。 这款MOSFET的特性还包括了无卤素设计，符合环保要求，适合在各种电子设备中使用，特别是那些需要低功耗、高效率和紧凑封装的应用，例如电池供电的便携式设备、电源管理电路、负载开关以及信号开关等。