Hynix HY62UF16201A: 128Kx16bit CMOS SRAM技术规格

"Hynix HY62UF16201A是一款128Kx16位全CMOS SRAM芯片，具有超低功耗特性。该文档提供了产品的基本描述，但可能会在未经通知的情况下发生变化。Hynix Semiconductor不承担使用其中描述的电路的任何责任，且未暗示任何专利许可。" 这篇文档详细介绍了Hynix Semiconductor公司生产的HY62UF16201A系列内存芯片。这款芯片是一款高速、超低功率的2Mbit（2兆比特）全CMOS静态随机存取存储器，其内部结构组织为131,072个16位字。全CMOS工艺技术的应用使得该芯片在高速度和低功耗方面表现出色，特别适合高密度低功耗系统应用。 文档修订历史显示，芯片经历了多次更新，包括： - 修订05：在2000年12月，将输出负载分为两个因素，并添加了关于-tCLZ、tOLZ、tBLZ、tCHZ、tOHZ、tBHZ、tWHZ和tOW的详细信息，这些都是与内存操作相关的时序参数。 - 修订06：2001年8月，纠正了封装尺寸（E1），并增加了6x8封装尺寸的尺寸和标记信息。 - 修订07：2001年8月31日，将6x8封装尺寸的型号（HY62UF16201AF1）与7x8封装尺寸的型号（HY62UF16201AF）进行了区分。 HY62UF16201A芯片的主要特点包括： 1. 高速性能：设计用于需要快速数据访问的应用场景。 2. 超低功耗：采用先进的全CMOS工艺，减少了运行时的电力消耗，使其在电池供电或对能耗敏感的设备中尤为适用。 3. 2Mbit存储容量：131,072个16位字的存储空间，提供了充足的存储能力。 4. 全CMOS工艺：利用这项技术，芯片能在保持高性能的同时，实现更小的体积和更低的功耗。 5. 高密度设计：适合在空间有限但需要大量内存的系统中使用。 6. 适用于低功耗系统：如便携式电子设备、嵌入式系统和其他需要长时间运行且电源受限的设备。 HY62UF16201A是针对需要高效能、低功耗和大容量存储解决方案的设计师的理想选择。由于其特定的设计和工艺，它能够满足各种高密度、低功耗应用场景的需求。