CuLaO2薄膜的制备与光电特性探究

"CuLaO2薄膜的制备和光电性能研究 (2008年)" 本文详细探讨了CuLaO2薄膜的制备方法及其光电特性。研究人员通过固相烧结法成功制备出纯相CuLaO2粉末，然后使用射频磁控溅射技术首次制备出CuLaO2薄膜，并对薄膜进行了退火处理。尽管退火后的薄膜含有少量杂相，但其在红外光区的透过率高达近70%，而在可见光范围内则相对较低。这表明CuLaO2薄膜具备一定的光学透明性，尤其是在红外光谱区域。 薄膜的电导率测定为约6.7×10^-4 S/cm，显示了其作为透明导电材料的可能性。此外，作者还对比分析了CuLaO2粉末和薄膜的室温光致发光性能。实验结果显示，两者在450 nm至650 nm的光谱范围内都有显著的发光带，这与Cu+在固体中的发光性能相吻合。然而，薄膜中观察到的少量杂峰可能是由于La2O3、Cu的氧化物以及石英衬底的影响。 透明导电氧化物（TCO）薄膜在现代电子设备中扮演着重要角色，例如在太阳能电池、显示器和平面显示技术中。CuLaO2作为一种p型宽禁带TCO材料，其发展对于推进以pn结为基础的半导体全透明光电器件的研究具有重要意义。尽管在制备p型TCO材料上存在挑战，但CuLaO2因其铜铁矿结构符合价带化学修饰理论（CMVB），为研究开辟了新的方向。 近年来，宽禁带半导体材料因其在高功率和高频器件、紫外探测器以及短波长发光二极管等领域的潜在应用而备受关注。CuLaO2的电发射性质也使其成为场发射显示器领域的一个研究热点。尽管CuLaO2的相关研究早在上世纪90年代初就已经开始，但目前的工作仍在不断深入，以优化材料性能和探索更多可能的应用场景。