英飞凌IRFB38N20D芯片技术规格与应用

"IRFB38N20D是英飞凌公司生产的功率半导体芯片，主要用于高频率直流-直流转换器和等离子显示面板等应用。该芯片提供了中文规格书手册，详细列出了其主要参数和技术特性。" 这篇文章将详细介绍IRFB38N20D芯片的关键参数和技术特点。 IRFB38N20D是一款高性能的 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），由INFINEON（英飞凌）制造。这款芯片具备以下关键参数： 1. **VDS (漏源电压)**：最大值为200V，表示当晶体管导通时，源极和漏极之间能承受的最大电压。在雪崩条件下的最小额定值为260V，表明该器件在过电压情况下具有一定的耐受能力。 2. **RDS(on)max@10V**：在10V栅极电压下，漏源导通电阻的最大值为54毫欧姆。这个参数决定了器件在工作状态下的内阻，低的RDS(on)意味着更低的导通损耗和更高的效率。 3. **TJmax**：芯片的最大结温为175°C，这是保证器件正常工作的最高温度。 4. **绝对最大额定值**：包括连续漏极电流ID，分别在25°C和100°C下为43A和30A；脉冲漏极电流IDM为180A；以及最大功率耗散，分别为在25°C时的3.8W和结温25°C时的300W（线性降额因子为2.0W/°C）。 5. **栅极-源极电压VGS**：允许的最大门极到源极电压为±30V，确保了控制电路的安全操作范围。 6. **dv/dt**：峰值二极管恢复时的电压变化速率，为9.5V/ns，这涉及到器件快速开关时的性能。 7. **热特性**：包括结到壳热阻RθJC（典型值0.47°C/W）和结到环境热阻RθJA（在PCB安装、稳态条件下为40°C/W，对于D2Pak封装为62°C/W）。此外，还有平底、涂油表面的壳到散热器热阻RθCS，典型值为0.50°C/W。 这些参数对理解和选择IRFB38N20D在特定应用中的性能至关重要。例如，其低RDS(on)适合于需要高效能和低损耗的电源转换系统，而高耐压能力和良好的热特性则使得该器件适合在高温环境下或需要处理大电流的场合使用。其在高频率DC-DC转换器和等离子显示面板中的应用，证明了其在高速开关和高功率密度设计中的优势。