英飞凌IPB35N10S3L26ATMA1汽车级功率晶体管技术规格

"IPB35N10S3L26ATMA1 是英飞凌公司生产的OptiMOS™-T系列的一款汽车级N沟道增强型功率晶体管，适用于电源管理等领域。该芯片具备AECQ101认证，符合严格的汽车电子标准，并且满足环保要求，为RoHS兼容的绿色产品。它能够在高达175°C的工作温度下运行，具有出色的耐热性能，峰值再流温度可达260°C。此外，该芯片经过100%雪崩测试，确保其在大电流脉冲下的稳定性。" IPB35N10S3L-26的主要特性包括： 1. **N沟道增强模式**：这意味着该器件在栅极电压高于阈值时才会导通，允许用户通过控制栅极电压来精确控制电流流动。 2. **汽车级AECQ101资格**：这款芯片符合汽车行业的高质量和可靠性标准，适合在汽车电子系统中使用。 3. **MSL1等级**：表明该器件对湿度敏感度较低，可以在较高温度下进行峰值再流焊接，增强了生产过程中的兼容性。 4. **175°C工作温度**：允许芯片在极端环境下工作，适应性强。 5. **RoHS兼容的绿色产品**：不含有害物质，符合环保要求。 在**最大额定值**方面，IPB35N10S3L-26在25°C时的连续漏电流（ID）为35A，而在100°C时为25A。脉冲漏电流（ID,pulse）在25°C时可达到140A，而单脉冲雪崩能量（EAS）在ID=17A时为175mJ，单脉冲雪崩电流（IAS）最大为35A。栅源电压（VGS）的最大值为±20V，总功耗（Ptot）在25°C时为71W。 **封装与标识**：采用PG-TO263-3-2封装，表面标记为IPB35N10S3L-26，3N10L26。 **热特性**：芯片的结壳热阻（RthJC）典型值为2.1 K/W，表明了从芯片内部到外壳的热量传导效率。对于SMD版本，在最小焊盘尺寸下，结空气热阻（RthJA）的典型值为62 K/W，这表示了从芯片到周围环境的散热能力。 IPB35N10S3L-26是一款高性能、高可靠性的汽车级功率晶体管，适用于需要高效能和稳定性的应用，如汽车电源系统、电机控制、DC-DC转换器等。其卓越的热管理和电气特性确保了在各种严苛条件下的稳定运行。