MT29F系列NAND Flash存储器规格与特性

"MT29F系列是Micron Technology生产的一系列高级NAND闪存芯片，包括MT29F32G08ABAAA、MT29F64G08AFAAA、MT29F128G08A[J/K/M]AAA、MT29F256G08AUAAA、MT29F32G08ABCAB、MT29F64G08AECAB、MT29F128G08A[K/M]CAB以及MT29F256G08AUCAB等型号。这些芯片均符合ONFI 2.2规范，采用单级单元（SLC）技术，适用于需要高速、高容量存储解决方案的设备。" 这些NAND Flash内存芯片提供了不同容量的选择，从32Gb到256Gb，满足不同应用的需求。它们具有统一的页面大小，每个8位数据宽度的页面包含8192字节的数据区和448字节的附加信息。块大小设定为128个页面，总计1024K+56K字节。每片芯片分为两个平面，每个平面有2048个块。根据容量的不同，设备中块的数量相应变化，32Gb有4096个块，64Gb有8192个块，128Gb有16,384个块，而256Gb则有32,768个块。 在同步I/O性能方面，这些芯片支持最高到同步模式5，时钟速率可达10ns（DDR模式下），每个引脚的读写吞吐量达到200MT/s。对于异步I/O，它们可运行在异步模式5，tRC/tWC最小为20ns，每个引脚的读写速度为50MT/s。在实际应用中的读写速度分别是：读取一页数据35微秒（最大值）、编程一页350微秒（典型值）、擦除一个块1.5毫秒（典型值）。 MT29F系列芯片的工作电压范围为VCC：2.7V至3.6V，VCCQ有两种选择：1.7V至1.95V或2.7V至3.6V。命令集遵循ONFI NAND闪存协议，并且提供了一些先进的功能，如程序缓存、顺序读取缓存、随机读取缓存、一次性编程（OTP）模式、多平面命令以及多逻辑单元操作等。这些特性使得MT29F系列芯片在嵌入式系统、服务器、移动设备以及存储设备中成为理想的高速大容量存储解决方案。