STP60NF06-VB：N沟道60V TO220封装MOSFET技术规格

"STP60NF06-VB是一种N沟道60V MOSFET，采用TO220封装，适用于高温环境。这款MOSFET具备175°C的结温，采用TrenchFET功率MOSFET技术，提供出色的热性能和低电阻特性。其绝对最大额定值包括门极-源极电压±20V，连续漏极电流60A（在25°C时），脉冲漏极电流200A，以及最大功率耗散136W（在25°C时）。MOSFET还具有低栅极电荷，以实现快速开关性能，并提供低导通电阻，以降低功耗。产品符合材料分类标准D，封装形式为TO-220AB。此外，STP60NF06-VB还提供了良好的雪崩能量能力，单次雪崩能量为125mJ。该器件的热特性包括最大结壳热阻0.85°C/W，以及最大结温至环境的热阻18°C/W（在10秒内）。" STP60NF06-VB是VB Semiconductor公司的一款高性能N沟道MOSFET，它主要特点在于其耐高温设计，允许在175°C的结温下稳定工作，这使得它适合应用于高温环境中的电源管理、电机驱动、开关电源等场景。TrenchFET技术使得MOSFET的结构更加紧凑，减少了导通电阻，从而降低了在大电流通过时的功率损失，提高了效率。 这款MOSFET的额定电压为60V，这意味着它可以承受高达60V的电压差，而不会发生击穿。导通电阻在10V的栅极电压下仅为0.011Ω，4.5V的栅极电压下为0.013Ω，这表明它在开关应用中能提供非常低的电阻，从而降低开关损耗。连续漏极电流ID在25°C和175°C环境下分别可达60A和50A，确保了在不同温度条件下的稳定工作能力。 在瞬态过载条件下，STP60NF06-VB能够承受高达200A的脉冲漏极电流，这使得它适用于需要短时大电流的应用。同时，它也有一个50A的雪崩电流额定值，保证了在过电压情况下的安全运行。单次雪崩能量125mJ的指标意味着即使在短路或过电压事件中，MOSFET也能承受一定的能量冲击，而不受损。 热性能方面，MOSFET的最大结壳热阻（thJC）为0.85°C/W，这意味着每增加1W的功率损耗，芯片温度将上升0.85°C。而最大结温至环境的热阻（thJA）在10秒内为18°C/W，这对于散热设计非常重要，因为较低的热阻有助于快速散发热量，保持器件的工作稳定性。 STP60NF06-VB的数据表提供了详细的技术规格，包括电气特性、热特性、尺寸图和安全操作区域等信息，这些数据对于设计者来说至关重要，以便于在电路设计中正确地选择和使用这款MOSFET。如果需要更多关于产品的信息或技术支持，可以通过提供的服务热线400-655-8788联系VB Semiconductor。