TH58NVG4T2E/5T2E/6T2E：64GB TLC闪存数据手册揭秘

TH58NVG4T2E/5T2E/6T2E TLC闪存数据手册提供了关于一款高性能、64GBit（4GB x 8Bit x 2）CMOS NAND电可擦除和可编程只读存储器（NAND E2PROM）的详细规格。这款新型TLC芯片由东芝公司开发，设计用于在3.3V电压下运行，拥有惊人的存储容量，达到72,786,051,072比特。它采用了多级细胞技术（Multi-Level Cell），使得存储密度极高。 该器件的独特之处在于其组织结构，包括8192+376字节的块大小、192页每块以及2780个块的整体布局，总共有2个8568字节的静态注册区，可以实现数据在内存阵列与注册区之间的8568字节增量传输。 erase操作以单块（1536KB + 70.5KB）为单位执行，提供了高效的数据管理。 TH58NVG6T2E采用了串行接口设计，利用I/O引脚同时处理地址、数据输入/输出和命令输入，简化了系统集成。自动执行的erase和program功能使其非常适合于各种应用，如固态文件存储、语音记录、数码相机的图像文件存储以及对高密度非易失性内存需求的其他系统。 主要特性包括： 1. 内存阵列：采用8568行x 521.3KB的布局，每个存储单元支持高效的读写操作。 2. 高级接口：通过串行通信，简化了接口设计，便于与其他电子元件集成。 3. 自动操作：内置erase和program功能，无需外部控制，节省了系统复杂性和编程时间。 4. 广泛应用：适用于对存储容量、可靠性和速度有高要求的存储解决方案，如固态硬盘、电子文档存储等。 作为一款TLC闪存，TH58NVG4T2E/5T2E/6T2E提供了一种高性能且灵活的存储解决方案，对于现代电子设备中的数据持久化和快速存取至关重要。由于其独特的设计和广泛的适用性，这款产品在电子工程领域内得到了广泛的关注和应用。