HY27US08121A 512Mbit NAND Flash Memory Specification

本文档是关于HY27US08121A系列和HY27SS08121A系列512Mbit NAND闪存的记忆体的详细规格介绍。这些器件是针对大规模存储应用的高效能解决方案，提供3.3V和1.8V两种电压版本，支持x8或x16总线宽度，具有地址/数据复用功能，并且在不同密度下保持引脚兼容性。 内存阵列结构为(512+16)字节x 32页x 4,096块或(256+8)字x 32页x 4,096块，其中512位和256位分别对应于x8和x16设备。每页的大小为x8设备的(512 + 16备用)字节和x16设备的(256 + 8备用)字。块的大小则分别为x8设备的(16K + 512备用)字节和x16设备的(8K + 256备用)字。 页面读取和编程操作支持随机访问和顺序访问，3.3V设备的最长时间为12us，1.8V设备为15us，顺序访问最小延迟分别为50ns和60ns。页面编程时间通常为200us。此外，还提供了快速复制模式，允许在没有外部缓冲的情况下快速复制页面。 块擦除时间为2ms，提供了一种快速的擦除机制。状态寄存器、电子签名功能确保了设备的识别和控制。芯片使能不关心特性简化了与微控制器的接口。自动页0读取选项在上电时启用，支持从NAND启动和自动内存下载。硬件数据保护功能可在电源转换期间锁定编程/擦除操作，确保数据安全。 数据完整性方面，器件可以承受100,000次编程/擦除循环（带有1bit/512byte的ECC校验），并保证10年的数据保留能力。封装选项包括48引脚TSOP1、USOP1、63球FBGA等，有铅和无铅版本可供选择，尺寸从12 x 20 x 1.2 mm到9 x 11 x 1.0 mm不等。 修订历史显示文档自2004年至今经过多次更新，改进了部分参数，如命令集、AC和DC特性，以及增加了坏块管理等功能。 HY27US08121A和HY27SS08121A系列NAND闪存是专为大规模存储设计的高密度内存解决方案，具备高速读写、灵活的接口、可靠的数据保护和多种封装选择，适用于各种嵌入式系统和存储应用。