电介质薄膜增强古斯-汉欣位移的PSD测试系统研究

"基于PSD的薄膜增强古斯—汉欣位移测试系统研究" 这篇清华大学2010届本科毕业论文主要探讨了基于位置敏感器件（PSD）的薄膜增强古斯-汉欣位移（Goos-Hänchen shift）测试系统的研究。古斯-汉欣位移是一种在光从光密媒质入射到光疏媒质时出现的现象，当入射角超过临界角，光在界面附近会经历一个额外的横向位移，这是由消失波的特性引起的。通常，这种位移量很小，只有波长的量级，因此在实验中难以直接探测。 论文特别关注了在电介质薄膜上的应用，通过在高折射率的电介质基层底上镀一层低折射率的电介质薄膜，可以利用特定的入射角使得光束在基底-薄膜界面折射进入薄膜，并在薄膜-空气界面发生全反射。在这种情况下，反射光束的古斯-汉欣位移可以被共振增强，从而提高其可检测性。 研究中，作者利用了玻璃棱镜/电介质薄膜/光疏介质的结构，对单反射情况下的古斯-汉欣位移进行了理论和实验方法的研究。他们采用了PSD技术来直接测量古斯-汉欣位移随电介质薄膜厚度的变化，所得结果与理论预测相吻合。PSD是一种能精确检测光束位置变化的传感器，它在这里为测量微小的位移提供了可能。 论文关键词包括：古斯-汉欣位移、电介质薄膜以及PSD。这表明论文的核心内容围绕这三个关键概念展开，深入研究了它们之间的相互作用和在实际应用中的效应。 这篇论文不仅对古斯-汉欣位移现象进行了深入的理论分析，还通过实验验证了利用电介质薄膜和PSD技术可以有效地增强和测量这一现象，对于光学领域的研究和技术发展具有重要的意义。