IRLR120NTRPBF-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET

"IRLR120NTRPBF-VB是一种N沟道100V的TO252封装MOSFET，适用于电源管理、开关应用等。它具有TrenchFET®技术，优化了PWM性能，175°C的工作结温，100%的栅极电阻测试，并符合RoHS指令。该器件的主要特性包括低导通电阻和高温工作能力。" IRLR120NTRPBF-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特点在于采用了TrenchFET®技术。这种技术通过在硅片上挖掘细小的沟槽，提高了MOSFET的栅极表面积，从而降低了导通电阻，提升了开关速度和效率。100V的额定漏源电压（VDS）使得它适合处理中等电压范围的电源电路。 该MOSFET的最大连续漏源电流（ID）在环境温度为25°C且栅源电压VGS为10V时为100A，而在175°C时可达到13A。脉冲漏源电流IDM高达40A，这表明它能承受短暂的大电流冲击。此外，它还支持连续的源电流（IS）为3A的二极管传导模式，以及3A的雪崩电流（IAS），并且可以承受单脉冲雪崩能量18mJ。 IRLR120NTRPBF-VB的绝对最大额定值需在特定条件下考虑，例如，漏源电压VDS不应超过100V，而栅源电压VGS应保持在±20V以内。在25°C的环境温度下，最大功率耗散（PD）为96W，但随着温度升高，这一数值会降低。器件的工作结温和存储温度范围为-55°C到175°C，确保了在极端温度环境下的稳定工作。 热特性方面，器件的结到环境的热阻（RthJA）在10秒内典型值为15°C/W，最大值为18°C/W，这意味着当内部产生的热量传递到周围环境中时，每瓦特功率会产生15至18°C的温升。而结到壳体的热阻（RthJC）典型值为0.85°C/W，最大值为1.1°C/W，反映了从芯片到封装外壳的热传导效率。 IRLR120NTRPBF-VB是设计用于电源开关、主侧开关以及其他需要高效、高耐热性能的应用的理想选择。其紧凑的TO-252封装允许它轻松集成到电路板上，同时其优化的PWM性能使其在开关电源应用中表现出色。符合RoHS指令意味着它不含有欧盟禁止的有害物质，满足了现代电子产品对环保的要求。